[發明專利]一種具有雙縱向場板的分離柵槽型功率器件在審
| 申請號: | 201810863748.2 | 申請日: | 2018-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN109192778A | 公開(公告)日: | 2019-01-11 |
| 發明(設計)人: | 吳麗娟;黃也;朱琳;雷冰;吳怡清;張銀艷 | 申請(專利權)人: | 長沙理工大學 |
| 主分類號: | H01L29/78 | 分類號: | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 410114 湖南省*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 縱向場 柵漏電荷 分離柵 調制器件 功率器件 擊穿電壓 介質槽 漂移區 槽型 引入 體內 功率半導體技術 器件擊穿電壓 比導通電阻 電場 導通電阻 電場分布 降低器件 柵氧化層 體電場 減小 漏極 耐壓 柵漏 耗盡 優化 | ||
1.一種具有雙縱向場板的分離柵槽型功率器件,其特征在于:其元胞結構包括第二摻雜類型襯底(1)、SiO2埋氧層(21)、第一摻雜類型漂移區(31)、介質槽區(22)、第二摻雜類型條(43)、第二摻雜類型阱區(42)、第一摻雜類型源端重摻雜區(32)、第二摻雜類型源端重摻雜區(41)、第一摻雜類型漏端重摻雜區(33)、淺槽柵接觸電極(51)、源極接觸電極(52)、漏極接觸電極(53)、柵極浮空場板(54)、源場板(55)、漏場板(56),柵氧化槽(23)、柵源間覆蓋介質層(24)、源漏間覆蓋介質層(25);所述第二摻雜類型襯底(1)上表面設置有SiO2埋氧層(21);所述SiO2埋氧層(21)上端面設置有第一摻雜類型漂移區(31);所述第一摻雜類型漂移區(31)中設置有介質槽區(22)、第二摻雜類型條(43)和柵氧化槽(23);所述介質槽區(22)內部左側置有源場板(55),右側置有漏場板(56);所述源場板(55)左側不與介質槽區(22)邊緣鄰接,漏場板(56)右側不與介質槽區(22)邊緣鄰接;所述漏場板(56)右部設置有第二摻雜類型條(43);所述第二摻雜類型條(43)左邊緣與介質槽區(22)邊緣接觸且平齊;所述第二摻雜類型條(43)上方與第一摻雜類型漏端重摻雜區(33)相連;所述第一摻雜類型漏端重摻雜區(33)上端面鄰接漏極接觸電極(53);所述漏極接觸電極(53)與源極接觸電極(52)通過表面覆蓋氧化層(25)相隔離,且所述表面覆蓋氧化層(25)在介質槽區(22)上端面上方,所述源極接觸電極(52)下端面置有第二摻雜類型阱區(42),所述第二摻雜類型阱區(42)內部中包括相互獨立的第一摻雜類型源端重摻雜區(32)和第二摻雜類型源端重摻雜區(41);所述第二摻雜類型阱區(42)左側設置有柵氧化槽(23);所述柵氧化槽(23)內部設置有淺槽柵接觸電極(51)和柵極浮空場板(54)。所述淺槽柵接觸電極(51)與源極接觸電極(52)通過表面覆蓋氧化層(24)相隔離。
2.根據權利要求1所述的一種具有雙縱向場板的分離柵槽型功率器件,其特征在于:所述器件是SOI器件,對于SOI器件來說襯底為第二類型硅。
3.根據權利要求1所述的一種具有雙縱向場板的分離柵槽型功率器件,其特征在于:所述漏極接觸電極(53)左側下方鄰接漏場板(56),所述源極接觸電極(52)右側下方鄰接源場板(55)。
4.根據權利要求1所述的一種具有雙縱向場板的分離柵槽型功率器件,其特征在于:所述結構中的淺槽柵接觸電極(51)、柵極浮空場板(54)和柵氧化槽(23)為分離柵結構。
5.根據權利要求1所述的一種具有雙縱向場板的分離柵槽型功率器件,其特征在于:所述第二摻雜類型條(43)在第一摻雜類型漏端重摻雜區(33)下端相連。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長沙理工大學,未經長沙理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810863748.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類





