[發(fā)明專利]一種具有雙縱向場板的分離柵槽型功率器件

在審

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• 申請日: 2018-08-01
• 公開（公告）號: CN109192778A
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發(fā)明（設計）人: 吳麗娟;黃也;朱琳;雷冰;吳怡清;張銀艷
• 申請（專利權）人: 長沙理工大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/40;H01L29/06
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1.一種具有雙縱向場板的分離柵槽型功率器件，其特征在于：其元胞結構包括第二摻雜類型襯底(1)、SiO₂埋氧層(21)、第一摻雜類型漂移區(qū)(31)、介質槽區(qū)(22)、第二摻雜類型條(43)、第二摻雜類型阱區(qū)(42)、第一摻雜類型源端重摻雜區(qū)(32)、第二摻雜類型源端重摻雜區(qū)(41)、第一摻雜類型漏端重摻雜區(qū)(33)、淺槽柵接觸電極(51)、源極接觸電極(52)、漏極接觸電極(53)、柵極浮空場板(54)、源場板(55)、漏場板(56)，柵氧化槽(23)、柵源間覆蓋介質層(24)、源漏間覆蓋介質層(25)；所述第二摻雜類型襯底(1)上表面設置有SiO₂埋氧層(21)；所述SiO₂埋氧層(21)上端面設置有第一摻雜類型漂移區(qū)(31)；所述第一摻雜類型漂移區(qū)(31)中設置有介質槽區(qū)(22)、第二摻雜類型條(43)和柵氧化槽(23)；所述介質槽區(qū)(22)內部左側置有源場板(55)，右側置有漏場板(56)；所述源場板(55)左側不與介質槽區(qū)(22)邊緣鄰接，漏場板(56)右側不與介質槽區(qū)(22)邊緣鄰接；所述漏場板(56)右部設置有第二摻雜類型條(43)；所述第二摻雜類型條(43)左邊緣與介質槽區(qū)(22)邊緣接觸且平齊；所述第二摻雜類型條(43)上方與第一摻雜類型漏端重摻雜區(qū)(33)相連；所述第一摻雜類型漏端重摻雜區(qū)(33)上端面鄰接漏極接觸電極(53)；所述漏極接觸電極(53)與源極接觸電極(52)通過表面覆蓋氧化層(25)相隔離，且所述表面覆蓋氧化層(25)在介質槽區(qū)(22)上端面上方，所述源極接觸電極(52)下端面置有第二摻雜類型阱區(qū)(42)，所述第二摻雜類型阱區(qū)(42)內部中包括相互獨立的第一摻雜類型源端重摻雜區(qū)(32)和第二摻雜類型源端重摻雜區(qū)(41)；所述第二摻雜類型阱區(qū)(42)左側設置有柵氧化槽(23)；所述柵氧化槽(23)內部設置有淺槽柵接觸電極(51)和柵極浮空場板(54)。所述淺槽柵接觸電極(51)與源極接觸電極(52)通過表面覆蓋氧化層(24)相隔離。

2.根據權利要求1所述的一種具有雙縱向場板的分離柵槽型功率器件，其特征在于：所述器件是SOI器件，對于SOI器件來說襯底為第二類型硅。

3.根據權利要求1所述的一種具有雙縱向場板的分離柵槽型功率器件，其特征在于：所述漏極接觸電極(53)左側下方鄰接漏場板(56)，所述源極接觸電極(52)右側下方鄰接源場板(55)。

4.根據權利要求1所述的一種具有雙縱向場板的分離柵槽型功率器件，其特征在于：所述結構中的淺槽柵接觸電極(51)、柵極浮空場板(54)和柵氧化槽(23)為分離柵結構。

5.根據權利要求1所述的一種具有雙縱向場板的分離柵槽型功率器件，其特征在于：所述第二摻雜類型條(43)在第一摻雜類型漏端重摻雜區(qū)(33)下端相連。