[發明專利]一種自動調整信號占空比的DDR接口電路在審
| 申請號: | 201810863611.7 | 申請日: | 2018-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN108599756A | 公開(公告)日: | 2018-09-28 |
| 發明(設計)人: | 孔亮;劉亞東;莊志青 | 申請(專利權)人: | 燦芯半導體(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0185 | 分類號: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 上海灣谷知識產權代理事務所(普通合伙) 31289 | 代理人: | 李曉星 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新區自由*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 時鐘信號單元 信號占空比 數據采樣信號 數據信號單元 占空比控制 時鐘信號 正向信號 控制端 占空比 前級 偏離 發送 反饋 檢測 | ||
1.一種自動調整信號占空比的DDR接口電路,包括時鐘信號單元、數據信號單元和數據采樣信號單元,其特征在于,
所述時鐘信號單元包括DCC模塊,該DCC模塊將所述時鐘信號單元發送出去的時鐘信號CLKP、CLKN接收回來,檢測其正向信號的占空比,產生由占空比控制的電壓VDCC,電壓VDCC反饋給所述時鐘信號單元、數據信號單元和數據采樣信號單元各自的前級控制端DCC_S。
2.根據權利要求1所述的自動調整信號占空比的DDR接口電路,其特征在于,所述DCC模塊包括比較器,該比較器的同相輸入端輸入時鐘信號CLKP,反相輸入端輸入時鐘信號CLKN,輸出端輸出電壓VDCC。
3.根據權利要求1所述的自動調整信號占空比的DDR接口電路,其特征在于,所述的前級控制端DCC_S包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,其中,
第一PMOS管的源極接電源,漏極連接第二PMOS管的源極,柵極接電壓VDCC;
第二PMOS管和第一NMOS管各自的柵極相連作為輸入端,各自的漏極相連作為輸出端;
第二NMOS管的漏極連接第一NMOS管的源極,柵極接電壓VDCC,源極接地。
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