[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示面板有效
| 申請號: | 201810862548.5 | 申請日: | 2018-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN109037289B | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發明(設計)人: | 龍春平 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 面板 | ||
一種顯示基板及其制備方法、顯示面板。該顯示基板包括顯示區以及位于所述顯示區周圍的非顯示區,所述顯示基板還包括襯底基板以及設置于所述襯底基板上的第一封裝層和至少一個阻擋壩,所述阻擋壩位于所述非顯示區中的所述襯底基板上,所述第一封裝層位于所述襯底基板上并且位于至少一個所述阻擋壩的面向所述顯示區的一側,所述第一封裝層由固化后的第一封裝材料形成,所述阻擋壩的至少面對所述第一封裝層的一側相對于固化前的所述第一封裝材料具有疏液性。該阻擋壩可以提高顯示基板的封裝效果。
技術領域
本公開至少一個實施例涉及一種顯示基板及其制備方法、顯示面板。
背景技術
有機發光二極管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)是一種有機薄膜電致發光器件,其因具有制備工藝簡單、成本低、功耗小、亮度高、視角寬、對比度高及可實現柔性顯示等優點,而受到人們極大的關注。
OLED電子顯示產品需要進行封裝,以避免其內部的部件因滲透進來的水汽和氧氣等的影響而受到老化、損壞。但是,當前的OLED電子顯示產品受限于自身的設計結構,導致封裝的良率不能進一步提高。
發明內容
本公開至少一個實施例提供一種顯示基板,包括顯示區以及位于所述顯示區周圍的非顯示區,所述顯示基板還包括襯底基板以及設置于所述襯底基板上的至少一個阻擋壩和第一封裝層,所述阻擋壩位于所述非顯示區中的所述襯底基板上,所述第一封裝層位于所述襯底基板上并且位于至少一個所述阻擋壩的面向所述顯示區的一側,所述第一封裝層由固化后的第一封裝材料形成,所述阻擋壩的至少面對所述第一封裝層的一側相對于固化前的所述第一封裝材料具有疏液性。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,所述阻擋壩的平面形狀為環繞所述顯示區的閉合環形。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,所述顯示基板包括多個所述阻擋壩,并且多個所述阻擋壩彼此間隔排布。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,多個所述阻擋壩包括第一阻擋壩和第二阻擋壩,所述第一阻擋壩位于所述第二阻擋壩和所述顯示區之間,以及所述第一阻擋壩的遠離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的表面的距離小于所述第二阻擋壩的遠離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的表面的距離。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,多個所述阻擋壩還包括第三阻擋壩,所述第三阻擋壩位于所述第二阻擋壩的遠離所述第一阻擋壩的一側,以及所述第二阻擋壩的遠離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的表面的距離小于所述第三阻擋壩的遠離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的表面的距離。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,所述第一封裝層的遠離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的表面的距離大于所述阻擋壩的遠離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的表面的距離。
例如,本公開至少一個實施例提供的顯示基板還包括位于所述襯底基板上的像素界定層,其中,所述像素界定層位于所述襯底基板和所述第一封裝層之間。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,所述像素界定層設置為單層結構,所述阻擋壩包括第一阻擋層,所述第一阻擋層與所述像素界定層同層且同材料。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,所述像素界定層設置為單層結構,所述阻擋壩包括彼此疊置的第一阻擋層和光刻膠層,所述第一阻擋層位于所述襯底基板和所述光刻膠層之間,以及所述第一阻擋層與所述像素界定層同層且同材料。
例如,在本公開至少一個實施例提供的顯示基板中,所述像素界定層包括彼此疊置的第一界定層和第二界定層,所述第一界定層位于所述第二界定層和所述襯底基板之間,以及所述阻擋壩包括第一阻擋層和第二阻擋層,所述第一阻擋層與所述第一界定層同層且同材料,所述第二阻擋層與所述第二界定層同層且同材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





