[發明專利]顯示基板及其制備方法、顯示面板有效
| 申請號: | 201810862548.5 | 申請日: | 2018-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN109037289B | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發明(設計)人: | 龍春平 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 及其 制備 方法 面板 | ||
1.一種顯示基板,包括顯示區以及位于所述顯示區周圍的非顯示區,所述顯示基板還包括:
襯底基板;
至少一個阻擋壩,位于所述非顯示區中的所述襯底基板上;以及
第一封裝層,位于所述襯底基板上,并且位于至少一個所述阻擋壩的面向所述顯示區的一側;
第二封裝層,位于所述第一封裝層和所述襯底基板之間;以及
第三封裝層,位于所述第一封裝層的遠離所述襯底基板的一側;
其中,所述第一封裝層為有機層,所述第二封裝層和所述第三封裝層為無機層,所述第一封裝層由固化后的第一封裝材料形成,所述阻擋壩的與所述第一封裝層直接接觸的一側經過化學改性處理以相對于固化前的所述第一封裝材料具有疏液性,
其中,至少一個所述阻擋壩在所述襯底基板上的正投影位于所述第一封裝層和所述第二封裝層在所述襯底基板上的正投影之內,并且至少一個所述阻擋壩在所述襯底基板上的正投影位于所述第一封裝層和所述第二封裝層在所述襯底基板上的正投影之外,
其中,所述第一封裝層在所述襯底基板上的正投影位于所述第三封裝層在所述襯底基板上的正投影之內,并且所述阻擋壩在所述襯底基板上的正投影位于所述第三封裝層在所述襯底基板上的正投影之內。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其中,所述阻擋壩的平面形狀為環繞所述顯示區的閉合環形。
3.根據權利要求1所述的顯示基板,其中,所述顯示基板包括多個所述阻擋壩,并且多個所述阻擋壩彼此間隔排布。
4.根據權利要求3所述的顯示基板,其中,
多個所述阻擋壩包括第一阻擋壩和第二阻擋壩,所述第一阻擋壩位于所述第二阻擋壩和所述顯示區之間,以及
所述第一阻擋壩的遠離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的表面的距離小于所述第二阻擋壩的遠離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的表面的距離。
5.根據權利要求4所述的顯示基板,其中,
多個所述阻擋壩還包括第三阻擋壩,所述第三阻擋壩位于所述第二阻擋壩的遠離所述第一阻擋壩的一側,以及
所述第二阻擋壩的遠離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的表面的距離小于所述第三阻擋壩的遠離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的表面的距離。
6.根據權利要求1所述的顯示基板,其中,所述第一封裝層的遠離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的表面的距離大于所述阻擋壩的遠離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的表面的距離。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的顯示基板,還包括位于所述襯底基板上的像素界定層,
其中,所述像素界定層位于所述襯底基板和所述第一封裝層之間。
8.根據權利要求7所述的顯示基板,其中,所述像素界定層設置為單層結構,所述阻擋壩包括第一阻擋層,所述第一阻擋層與所述像素界定層同層且同材料。
9.根據權利要求7所述的顯示基板,其中,所述像素界定層設置為單層結構,所述阻擋壩包括彼此疊置的第一阻擋層和光刻膠層,所述第一阻擋層位于所述襯底基板和所述光刻膠層之間,以及
所述第一阻擋層與所述像素界定層同層且同材料。
10.根據權利要求7所述的顯示基板,其中,
所述像素界定層包括彼此疊置的第一界定層和第二界定層,所述第一界定層位于所述第二界定層和所述襯底基板之間,以及
所述阻擋壩包括第一阻擋層和第二阻擋層,所述第一阻擋層與所述第一界定層同層且同材料,所述第二阻擋層與所述第二界定層同層且同材料。
11.根據權利要求10所述的顯示基板,其中,
所述阻擋壩還包括至少一個光刻膠層,所述光刻膠層位于所述第一阻擋層或所述第二阻擋層的遠離所述襯底基板的一側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





