[發(fā)明專利]自支撐的納米多孔銀及銀電極的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810853627.X | 申請日： | 2018-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN109261149A | 公開（公告）日： | 2019-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 姜魯華;李曉克;劉靜 | 申請（專利權(quán)）人： | 青島科技大學(xué) |
| 主分類號： | B01J23/50 | 分類號： | B01J23/50;B01J35/10;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 青島中天匯智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37241 | 代理人： | 袁曉玲 |
| 地址： | 266000 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米多孔銀 制備 銀電極 過渡金屬陽離子 電還原 氯化銀 微電池 銀表面 自支撐 前體 過渡金屬離子 金屬氯化物 液體電解液 固體材料 耗能過程 施加電壓 浸入 電極 可控性 氧還原 含銀 能耗 | ||
1.一種自支撐的納米多孔銀的制備方法，其特征在于：將至少表面含銀的固體材料作為前體，浸入含有過渡金屬離子和金屬氯化物的液體電解液中，通過微電池反應(yīng)借助過渡金屬陽離子促進銀表面自發(fā)形成氯化銀，電還原后形成納米多孔銀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述過渡金屬離子為Cu2+或者Fe3+。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述Cu2+或者Fe3+的濃度為0.005-1M。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的制備方法，其特征在于，所述金屬氯化物為氯化銅、氯化鐵、氯化鈉或氯化鉀中的任意一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述至少表面含銀的固體材料在含有過渡金屬離子和金屬氯化物的液體電解液中浸漬時間為0.01-3600s。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述至少表面含銀的固體材料中銀的含量0.01-99.9％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述至少表面含銀的固體材料為銀絲，銀片或銀塊。
8.一種自支撐的納米多孔銀電極的制備方法，其特征在于，將銀電極作為前體，浸入含有過渡金屬離子和金屬氯化物的液體電解液中，通過微電池反應(yīng)借助過渡金屬陽離子促進銀表面自發(fā)形成氯化銀，電還原后制得自支撐的納米多孔銀電極。
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