[發明專利]低熔點玻璃粉、玻璃粉漿料及其制備方法及面板封裝結構

在審

• 申請號: 201810852680.8
• 申請日: 2018-08-01
• 公開（公告）號: CN108911515A
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發明（設計）人: 梁艦;蔡詩端;吳安琪;王艷華
• 申請（專利權）人: 蘇州福萊威封裝技術有限公司
• 主分類號: C03C8/24
• 分類號: C03C8/24;H01L23/29;G09F9/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了低熔點玻璃粉，采用BiNO₄、B₂O₃、ZnCO₃和Cu₂O的材料體系，利用真空球磨法獲得粒徑為納米級的玻璃粉，有效降低玻璃粉漿料的封接溫度，且材料利用率及轉化率高。本發明還提供一種玻璃粉漿料及其制備方法。

技術領域

本發明屬于半導體封裝技術領域，涉及一種低熔點玻璃粉、漿料，本發明還涉及該低熔點玻璃粉及漿料的制備方法,本發明還公開了一種面板封裝結構。

背景技術

封接玻璃主要應用于半導體封裝領域，特別是在OLED顯示、OLED照明、太陽能和鈣鈦礦等半導體光電器件的封裝工藝中。現有封接玻璃主要采用鉍鋅硼系無鉛玻璃粉體系，該體系玻璃粉制備過程通常需將多元材料混合后的原料加熱使其熔化，將熔化后的混合物冷卻后用球磨機再次球磨為粉狀，最后篩取100～400目的部分，該種方式獲得的玻璃粉顆粒粒徑只能達到微米級，且需要反復篩取，材料利用率低。另一方面，現有技術中的玻璃粉為了降低其熔點常常需要添加稀土元素或有一定毒性的金屬氧化物而不夠環保。

發明內容：

有鑒于此，本發明的目的在于克服上述現有技術的缺點，提供一種低熔點玻璃粉，包含：BiNO₄、B₂O₃、ZnCO₃和Cu₂O。

進一步的，所述組份按重量配比為：50～100份BiNO₄、20～50份B₂O₃、15～30份ZnCO₃、5～10份Cu₂O。

次硝酸鉍在制備或封裝過程中分解或部分分解，生成納米級的氧化鉍和氮氧化物，使玻璃粉整體的熔點降低到260～450℃。碳酸鋅在制備或封裝使用過程中分解或部分分解，生成納米級的氧化鋅和二氧化碳，使玻璃粉整體的熔點降低到260～450℃。

在制備或封裝過程中，Cu₂O可起到還原劑和催化劑的作用，降低次硝酸鉍中的氮元素價態，加速次硝酸鉍分解，同時，Cu₂O被氧化后產生的CuO可作為著色劑，提高封裝材料的光吸收特性；另一方面，未被氧化的亞銅離子還可以減弱玻璃料的結晶特性，起到高溫時材料內部應力的調節作用，避免封裝結構因結晶變脆造成在使用過程中產生裂縫，提高被封裝器件的可靠性。

而在通常情況下氧化鉍的熔點825℃；氧化硼的玻璃體在325－450℃時軟化；氧化鋅熔點1975℃，導致現有技術中微米級玻璃粉在封裝燒結時無法真正的達到熔融狀態，只是被熔化的低熔點材料包覆融合，使封裝體內部產生應力而容易出現龜裂，或需要更高的封接溫度。

進一步的，所述玻璃粉按重量配比還包括：1～5份著色劑。

進一步的，所述著色劑為碳黑、MnO₂、CuO、Fe₃O₄、Ni₂O₃、Co₂O₃中的一種、任意兩種或多種的組合物。

進一步的，所述玻璃粉按重量配比還包括：1～5份助熔劑。

進一步的，所述助熔劑為Li₂O、MgCl₂、CaO、Al₂O₃、SiO₂中的任意一種、兩種或多種的組合物，助熔劑可以在進行封裝時，降低BiNO₄及ZnCO₃的分解溫度，加速分解進程，提升玻璃粉在封裝時的整體表現。

進一步的，玻璃粉按重量配比還包括：10～40份的負膨脹系數或低膨脹系數的填料。