[發(fā)明專(zhuān)利]多晶鍺的制備裝置及制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810851606.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109161966A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-01-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 狄聚青;朱劉;尹士平;胡智向;劉運(yùn)連 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 廣東先導(dǎo)先進(jìn)材料股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C30B29/08 | 分類(lèi)號(hào): | C30B29/08;C30B13/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 511517 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多晶鍺 石英管 制備裝置 制備 加熱器 二氧化鍺 還原過(guò)程 石墨坩堝 原料制備 高純度 側(cè)壁 | ||
本發(fā)明涉及一種多晶鍺的制備裝置,該裝置包括一石英管、放置于石英管內(nèi)的一石墨坩堝以及圍繞于石英管側(cè)壁的至少一個(gè)加熱器。本發(fā)明同時(shí)提出了一種多晶鍺的制備方法。本發(fā)明多晶鍺的制備裝置及制備方法,還原過(guò)程和區(qū)熔過(guò)程在同一個(gè)設(shè)備石英管中完成,直接將二氧化鍺原料制備為較高純度的多晶鍺,省去了原料轉(zhuǎn)移的過(guò)程,工藝簡(jiǎn)單,流程較短,推廣該方法,能產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟(jì)效益。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域,具體涉及一種多晶鍺的制備裝置及制備方法。
背景技術(shù)
鍺是一種重要的半導(dǎo)體材料,廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能、紅外光學(xué)、光纖、探測(cè)等領(lǐng)域。近些年,在太陽(yáng)能、紅外光學(xué)、光纖等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求刺激下,鍺的需求不斷增加。其中,紅外光學(xué)用鍺約占鍺產(chǎn)量的20-30%左右,且增長(zhǎng)良好。
目前紅外光學(xué)用多晶鍺的重要原料是區(qū)熔鍺。目前,區(qū)熔鍺的制備方法首先是利用氫氣還原爐將二氧化鍺還原成鍺,再將還原鍺置于中頻感應(yīng)區(qū)熔爐內(nèi),經(jīng)多次區(qū)熔后得到區(qū)熔鍺。還原過(guò)程和區(qū)熔過(guò)程在不同的設(shè)備進(jìn)行,中轉(zhuǎn)過(guò)程中會(huì)引入雜質(zhì),且中轉(zhuǎn)時(shí)間長(zhǎng),設(shè)備和時(shí)間成本較高。
所以,有必要設(shè)計(jì)一種新的多晶鍺的制備裝置及制備方法以解決上述技術(shù)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出還原過(guò)程和區(qū)熔過(guò)程在同一設(shè)備中進(jìn)行的一種多晶鍺的制備裝置及制備方法。
為實(shí)現(xiàn)前述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:一種多晶鍺的制備裝置,該裝置包括一石英管、放置于石英管內(nèi)的一石墨坩堝以及圍繞于石英管側(cè)壁的至少一個(gè)加熱器。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述加熱器包括4-10個(gè)獨(dú)立控制的發(fā)熱體。
同時(shí)提出一種多晶鍺的制備方法,采用上述的多晶鍺的制備裝置,其包括如下步驟:S1、將氧化鍺原料放進(jìn)石墨坩堝中,并將石墨坩堝置于石英管中,向石英管中通入氮?dú)庵脫Q石英管中的空氣,之后使所有發(fā)熱體升溫到600℃,向石英管內(nèi)通入氫氣;保溫t1時(shí)間之后,停止通入氫氣,改為向石英管內(nèi)通入氮?dú)猓⑹顾邪l(fā)熱體升溫到938℃;之后發(fā)熱體按頭尾依次以v1降溫速率降溫,每一發(fā)熱體達(dá)到目標(biāo)溫度900℃之后進(jìn)入保溫;相鄰發(fā)熱體開(kāi)始降溫的時(shí)間間隔為t2;直至最后一個(gè)發(fā)熱體完成降溫,到達(dá)900℃,則完成定向凝固過(guò)程;S2、之后發(fā)熱體按頭尾順序依次完成一次升溫、保溫和降溫的加熱過(guò)程,升溫目標(biāo)溫度為938℃,降溫目標(biāo)溫度為900℃,其中保溫時(shí)間為t3,降溫速率為v2,相鄰發(fā)熱體開(kāi)始加熱的時(shí)間間隔為t4,直至最后一個(gè)發(fā)熱體完成降溫,則完成一次區(qū)熔過(guò)程;S3、重復(fù)S2直至完成N次區(qū)熔過(guò)程;之后,待所有發(fā)熱體均已降到900℃后,所有發(fā)熱體以相同降溫速率開(kāi)始降溫。
本發(fā)明多晶鍺的制備裝置及制備方法,還原過(guò)程和區(qū)熔過(guò)程可以在同一個(gè)設(shè)備石英管中完成,直接將二氧化鍺原料制備為較高純度的多晶鍺,省去了原料轉(zhuǎn)移的過(guò)程,工藝簡(jiǎn)單,流程較短,推廣該方法,能產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟(jì)效益。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明多晶鍺的制備裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例對(duì)技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
請(qǐng)參閱圖1,本發(fā)明提出一種多晶鍺的制備裝置,該裝置包括一石英管110、放置于石英管110內(nèi)的一石墨坩堝120以及圍繞于石英管110側(cè)壁的至少一個(gè)加熱器130。
所述加熱器130包括4-10個(gè)獨(dú)立控制的發(fā)熱體131。
本發(fā)明同時(shí)提出一種多晶鍺的制備方法,采用上述的多晶鍺的制備裝置,其包括如下步驟:
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