[發(fā)明專利]電子束曝光方法、電子束光刻方法及金屬線條制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810847149.1
• 申請(qǐng)日: 2018-07-27
• 公開（公告）號(hào): CN108919612B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓婷婷;馮志紅;呂元杰;敦少博;顧國棟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;H01L21/02
• 代理公司: 石家莊國為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 王政

1.一種電子束曝光方法，其特征在于，包括：

根據(jù)第一版圖圖形對(duì)基片進(jìn)行第一電子束曝光處理；

根據(jù)第二版圖圖形對(duì)所述基片進(jìn)行第二電子束曝光處理，其中，所述第二版圖圖形是所述第一版圖圖形沿第一版圖圖形中的線條長(zhǎng)度方向平移預(yù)設(shè)距離得到的；所述預(yù)設(shè)距離為電子束的束斑直徑的1/4至3/4；所述第一電子束曝光處理的曝光劑量和所述第二電子束曝光處理的曝光劑量之和正好曝透圖形；所述第一版圖圖形和/或所述第二版圖圖形中至少一條線條的線條寬度與電子束的束斑直徑相等。

2.如權(quán)利要求1所述的電子束曝光方法，其特征在于，所述預(yù)設(shè)距離為電子束的束斑直徑的1/2。

3.如權(quán)利要求1至2任一項(xiàng)所述的電子束曝光方法，其特征在于，所述第一電子束曝光處理和/或所述第二電子束曝光處理的曝光劑量為200uC/cm²至600uC/cm²，束流小于或等于2nA。

4.一種電子束光刻方法，其特征在于，包括：

在基片表面涂覆電子束光刻膠；

通過如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的電子束曝光方法對(duì)涂覆電子束光刻膠后的基片進(jìn)行電子束曝光處理；

對(duì)電子束曝光處理后的基片進(jìn)行顯影處理。

5.如權(quán)利要求4所述的電子束光刻方法，其特征在于，所述對(duì)電子束曝光處理后的基片進(jìn)行顯影處理，包括：

使用異丙醇與水的混合液對(duì)電子束曝光處理后的基片顯影60秒至200秒；

使用去離子水對(duì)顯影后的基片定影20秒至40秒。

6.如權(quán)利要求 4或5所述的電子束光刻方法，其特征在于，所述在基片表面涂覆電子束光刻膠，包括：

在基片表面旋涂電子束光刻膠，并使用160攝氏度至190攝氏度的熱板烘膠2分鐘至5分鐘。

7.一種金屬線條制備方法，其特征在于，包括：通過如權(quán)利要求4至6任一項(xiàng)所述的電子束光刻方法對(duì)基片進(jìn)行電子束光刻處理；

還包括：

在電子束光刻處理后的基片的表面制備金屬層；

去除所述電子束光刻膠。

8.如權(quán)利要求7所述的金屬線條制備方法，其特征在于，所述去除所述電子束光刻膠，包括：

對(duì)制備金屬層后的基片進(jìn)行加熱和浸泡處理后，剝離所述電子束光刻膠；

所述金屬層包括鎳層和所述鎳層上表面的金層；所述鎳層的厚度為30納米至80納米，所述金層的厚度為200納米至500納米。