[發明專利]電子束曝光方法、電子束光刻方法及金屬線條制備方法

有效

• 申請號: 201810847149.1
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN108919612B
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 韓婷婷;馮志紅;呂元杰;敦少博;顧國棟
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/02
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 王政

本發明適用于半導體技術領域，提供了一種電子束曝光方法、電子束光刻方法及金屬線條制備方法。電子束曝光方法包括：根據第一版圖圖形對基片進行第一電子束曝光處理；根據第二版圖圖形對所述基片進行第二電子束曝光處理，其中，所述第二版圖圖形是所述第一版圖圖形沿第一版圖圖形中的線條長度方向平移預設距離得到的。本發明經過兩次曝光處理，兩次曝光的效果疊加避免了束斑拼接處由于能量不足導致的斷點，使得整個圖形均勻曝光。并且，不需要增加曝光劑量，能夠保證較小的線條尺寸。

技術領域

本發明屬于半導體技術領域，尤其涉及一種電子束曝光方法、電子束光刻方法及金屬線條制備方法。

背景技術

電子束曝光技術是集電子光學、精密機械、超高真空、計算機自動控制等高新技術于一體的新型技術，是推動微電子和微細加工技術進一步發展的關鍵技術之一。電子束曝光技術主要適用于0.5微米以下的超微細加工，可以實現數十納米線條的曝光。

電子束曝光是由高斯圓形束對版圖圖形進行逐點寫入，版圖圖形尺寸是電子束束斑直徑的整數倍。在版圖圖形尺寸與電子束束斑直徑相等時，電子束束斑拼接處通常會由于曝光能量不足出現斷點，導致整個圖形的曝光不均勻。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供了電子束曝光方法、電子束光刻方法及金屬線條制備方法，以解決現有技術中電子束曝光不均勻的問題。

本發明實施例的第一方面提供了一種電子束曝光方法，包括：

根據第一版圖圖形對基片進行第一電子束曝光處理；

根據第二版圖圖形對所述基片進行第二電子束曝光處理，其中，所述第二版圖圖形是所述第一版圖圖形沿第一版圖圖形中的線條長度方向平移預設距離得到的。

可選的，所述預設距離為電子束的束斑直徑的1/4至3/4。

進一步的，所述預設距離為電子束的束斑直徑的1/2。

可選的，所述第一版圖圖形和/或所述第二版圖圖形中至少一條線條的線條寬度與電子束的束斑直徑相等。

可選的，所述第一電子束曝光處理和/或所述第二電子束曝光處理的曝光劑量為200uC/cm²至600uC/cm²，束流小于或等于2nA。

本發明實施例的第二方面提供了一種電子束光刻方法，包括：

在基片表面涂覆電子束光刻膠；

通過如本發明實施例第一方面所述的電子束曝光方法對涂覆電子束光刻膠后的基片進行電子束曝光處理；

對電子束曝光處理后的基片進行顯影處理。

可選的，所述對電子束曝光處理后的基片進行顯影處理，包括：

使用異丙醇與水的混合液對第二電子束曝光處理后的基片顯影60秒至200秒；

使用去離子水對顯影后的基片定影20秒至40秒。

可選的，所述在基片表面涂覆電子束光刻膠，包括：

在基片表面旋涂電子束光刻膠，并使用160攝氏度至190攝氏度的熱板烘膠2分鐘至5分鐘。

本發明實施例第三方面提供了一種金屬線條制備方法，包括：通過如本發明實施例第二方面所述的電子束光刻方法對基片進行電子束光刻處理；

還包括：

在電子束光刻處理后的基片的表面制備金屬層；

去除所述電子束光刻膠。

可選的，所述去除所述電子束光刻膠，包括：