[發明專利]一種多晶硅薄膜層的均勻性檢測裝置

有效

• 申請號: 201810846315.6
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN110763434B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發明（設計）人: 王琦
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電股份有限公司
• 主分類號: G01M11/00
• 分類號: G01M11/00;G01M11/02
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種多晶硅薄膜層的均勻性檢測裝置，其特征在于，包括：

用于自待測面板一側向待測面板發射檢測信號的信號發射模塊；

用于自所述待測面板另一側檢測由所述信號發射模塊所發射的并穿過所述待測面板后的信號檢測模塊；

用于向待測面板提供電壓信號的電壓信號產生模塊；

與所述信號檢測模塊以及電壓信號產生模塊信號連接的分析模塊，所述分析模塊用于根據所述信號檢測模塊檢測的信號以及所述電壓信號產生模塊反饋的電壓信號確定所述待測面板內部多晶硅薄膜層的均勻性。

2.根據權利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述信號發射模塊為用于向待測面板發射線偏振光的激光發射組件。

3.根據權利要求2所述的檢測裝置，其特征在于，所述激光發射組件包括：

線偏振光激光發射器；或者，

非偏振光激光發射器和設置于所述非偏振光激光發射器出光側的偏振片。

4.根據權利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述信號檢測模塊包括光強傳感器。

5.根據權利要求1的所述的檢測裝置，其特征在于，所述信號發射模塊包括至少一個信號發射裝置，所述信號檢測模塊包括與所述信號發射裝置一一對應的信號檢測裝置，每一對相互對應的信號發射裝置和信號檢測裝置中，所述信號檢測裝置用于檢測所述信號發射裝置發射的信號穿過待測面板后的信號。

6.根據權利要求1所述的檢測裝置，其特征在于，所述電壓信號產生模塊包括：

信號發生器、導線探針。

7.根據權利要求6所述的檢測裝置，其特征在于，所述信號發生器為交流電壓信號發生器或者直流電壓信號發生器。

8.根據權利要求7所述的檢測裝置，其特征在于，當所述信號發生器為交流電壓信號發生器時，所述分析模塊包括示波器或者鎖相放大器。

9.根據權利要求7所述的檢測裝置，其特征在于，當所述信號發生器為直流電壓信號發生器時，所述分析模塊包括示波器或者光功率計。