[發明專利]一種多晶硅薄膜層的均勻性檢測裝置有效
| 申請號: | 201810846315.6 | 申請日: | 2018-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN110763434B | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發明(設計)人: | 王琦 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G01M11/00 | 分類號: | G01M11/00;G01M11/02 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 201506 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多晶 薄膜 均勻 檢測 裝置 | ||
本發明涉及顯示器件檢測領域,特別涉及一種多晶硅薄膜層的均勻性檢測裝置。上述檢測裝置包括:信號發射模塊、信號檢測模塊、電壓信號產生模塊、分析模塊;分析模塊用于根據信號檢測模塊檢測到的信號以及電壓信號產生模塊反饋的電壓信號確定待測面板內部多晶硅薄膜層的均勻性。上述信號發射模塊發射的檢測信號可以穿過待測面板,檢測待測面板的多晶硅薄膜層內部結構的均勻性,信號檢測模塊自待測面板的另一側檢測穿過待測面板后的信號;電壓信號產生模塊向待測面板提供相應的電壓信號,分析模塊確定待測面板內部多晶硅薄膜層的均勻性。上述裝置能夠對待測面板內部多點位的多晶硅薄膜層進行檢測,對多晶硅薄膜層的均勻性檢測更加準確。
技術領域
本發明涉及顯示器件檢測領域,特別涉及一種多晶硅薄膜層的均勻性檢測裝置。
背景技術
利用低溫多晶硅(Low Temperature Poly Silicon,LTPS)材料制備的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT),由于具有較高的載流子遷移率、較低的工藝溫度和較為廉價的工藝成本而廣泛應用于平板顯示等行業。目前,LTPS TFT已成為液晶顯示(LiquidCrystal Display,LCD)和有源矩陣有機發光二極管顯示(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode,AMOLED)領域應用的主要電路組成元件之一。
制備TFT時首先在玻璃基板上沉積一層多晶硅薄膜,多晶硅薄膜層上面沉積有絕緣層和金屬層。多晶硅薄膜層、絕緣層和金屬層經過蝕刻后形成TFT,因此TFT的基本性質由三層材料共同決定。
多晶硅薄膜層存在缺陷,并且不同晶粒之間存在晶粒界面,簡稱晶界,晶界附近存在空間電荷區。缺陷和空間電荷區會形成勢壘或載流子陷阱,這對于載流子遷移率和TFT的閾值電壓及電流驅動能力有重要影響,若TFT提供的驅動電流的不夠均勻,則會造成各種顯示色彩不均(Mura)。
所以,整個玻璃基板上多晶硅薄膜層的均勻性是影響TFT電流驅動能力的均勻性的一個重要因素,監測多晶硅薄膜層的均勻性也是預防顯示Mura和探測顯示不良原因的重要手段。
目前,TFT電學特性測量是生產線內(inline)和生產線外(offline)環境下的檢測重點,通過測量TFT的電學特性可以確定TFT在整個玻璃基板上的均勻性,但無法檢測多晶硅薄膜層的均勻性。因此,這種測量方式無法精確找出影響TFT均勻性的關鍵因素,只能根據測試者的經驗判斷影響TFT均勻性的因素是多晶硅薄膜層不良抑或是絕緣層不良。
發明內容
本發明提供一種多晶硅薄膜層的均勻性檢測裝置,上述檢測裝置能夠檢測待測面板的多晶硅薄膜層內部結構的均勻性,對多晶硅薄膜層的均勻性檢測更加準確。
為達到上述目的,本發明提供以下技術方案:
本發明提供了一種多晶硅薄膜層的均勻性檢測裝置,包括:
用于自待測面板一側向待測面板發射檢測信號的信號發射模塊;
用于自所述待測面板另一側檢測由所述信號發射模塊發射并穿過所述待測面板的信號的信號檢測模塊;
用于向待測面板提供電壓信號的電壓信號產生模塊;
與所述信號檢測模塊以及電壓信號產生模塊信號連接的分析模塊,所述分析模塊用于根據所述信號檢測模塊檢測的信號以及所述電壓信號產生模塊反饋的電壓信號確定所述待測面板內部多晶硅薄膜層的均勻性。
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