[發明專利]子像素排列結構、掩膜裝置、顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 201810844277.0 | 申請日: | 2018-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN109037287A | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發明(設計)人: | 張元其;嵇鳳麗;徐鵬;杜森 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 楊廣宇 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 子像素 第一子像素陣列 顯示裝置 像素 子像素排列 顯示面板 掩膜裝置 列方向 分辨率 申請 間隔排列 排列結構 顯示效果 種子像素 減小 包圍 圖像 | ||
本申請公開了一種子像素排列結構、掩膜裝置、顯示面板及顯示裝置,屬于顯示領域。所述子像素排列結構包括:多個第一子像素、多個第二子像素、多個第三子像素和多個第四子像素,多個第一子像素和多個第二子像素組成第一子像素陣列,且第一子像素陣列中的第一子像素和第二子像素在行方向和列方向上均一一間隔排列;在行方向和列方向中的至少一個方向上,第一子像素陣列中每相鄰的兩個子像素之間設置有一個第三子像素;每個第四子像素均被所述第一子像素陣列中與所述每個第四子像素相鄰的四個子像素包圍。本申請解決了由于像素尺寸的減小程度有限,限制顯示裝置的分辨率的提升的問題,提升了顯示裝置的分辨率和顯示效果。本申請用于圖像的顯示。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,特別涉及一種子像素排列結構、掩膜裝置、顯示面板及顯示裝置。
背景技術
隨著顯示技術的發展,對于顯示裝置的顯示效果的要求越來越高,且顯示裝置的顯示效果與其包括的像素個數正相關。
相關技術中,顯示裝置包括陣列排布的多個像素,且每個像素包括沿行方向依次排列的紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素。并且,通常可以通過減小子像素的尺寸來增多顯示裝置中子像素的個數,進而增多像素的個數,以及增大顯示裝置的分辨率。
但由于工藝限制,子像素尺寸的減小程度有限,因此,限制了顯示裝置的分辨率的提升。
發明內容
本申請提供了一種子像素排列結構、掩膜裝置、顯示面板及顯示裝置,可以解決由于工藝限制,子像素尺寸的減小程度有限,限制顯示裝置的分辨率的提升的問題。所述技術方案如下:
一方面,提供了一種子像素排列結構,所述子像素排列結構包括:多個第一子像素、多個第二子像素、多個第三子像素和多個第四子像素,
所述多個第一子像素和所述多個第二子像素組成第一子像素陣列,且所述第一子像素陣列中的所述第一子像素和所述第二子像素在行方向和列方向上均一一間隔排列;
在所述行方向和所述列方向中的至少一個方向上,所述第一子像素陣列中每相鄰的兩個子像素之間設置有一個所述第三子像素;每個第四子像素均被所述第一子像素陣列中與所述每個第四子像素相鄰的四個子像素包圍。
可選的,所述多個第三子像素和所述多個第四子像素組成第二子像素陣列,且所述第二子像素陣列包括沿所述列方向一一間隔排列的多行所述第三子像素和多行所述第四子像素,
所述第一子像素陣列中的多列子像素與所述第二子像素陣列中的多列子像素沿所述行方向一一間隔排列。
可選的,所述第一子像素的面積與所述第二子像素的面積相同,且所述第一子像素的面積大于或等于所述第四子像素的面積,所述第四子像素的面積大于所述第三子像素的面積。
可選的,對于所述第一子像素陣列中包圍每個所述第四子像素的四個子像素,所述四個子像素的中心構成矩形的四個頂點,所述第一子像素陣列中所有子像素的中心構成呈棋牌格排列的多個矩形的頂點。
可選的,心構成所述矩形對角線上的兩個頂點的兩個子像素的顏色相同。
可選的,所述子像素排列結構中任意兩個相鄰的子像素的間距相等。
可選的,所述子像素排列結構中的子像素均呈多邊形,且任意兩個相鄰的子像素中相對的兩條邊平行。
可選的,所述第一子像素與所述第二子像素均呈八邊形,所述第三子像素呈矩形,所述第四子像素呈六邊形。
可選的,所述第一子像素、所述第二子像素和所述第四子像素均呈八邊形,所述第三子像素呈正方形。
可選的,所述多邊形為圓角多邊形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





