[發明專利]具有改進的布局的集成電路器件

有效

• 申請號: 201810843308.0
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN109309077B
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 張豐愿;陳俊臣;黃博祥;魯立忠;林仲德;高章瑞;陳勝雄;劉欽洲
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L27/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種集成電路器件，包括：

器件層，具有根據預定的器件節距間隔開的器件；

第一金屬互連層，設置在所述器件層之上并且耦合到所述器件層；以及

第二金屬互連層，設置在所述第一金屬互連層之上，并且通過第一通孔層耦合到所述第一金屬互連層，

其中，所述第二金屬互連層具有根據預定的金屬線節距間隔開的金屬線，并且

其中，所述預定的金屬線節距與預定的器件節距的比率小于1，所述第二金屬互連層中的一條金屬線與所述第一通孔層中的一個通孔接觸連接并且與所述器件層中的一個器件橫向偏移，所述第一金屬互連層中的連接銷與所述一個通孔接觸連接并且延伸跨越所述一條金屬線與所述一個器件之間橫向偏移的空間，以使得所述連接銷與直接位于所述一個器件上的接觸件接觸連接。

2.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述比率是X:Y，其中X和Y是整數值。

3.根據權利要求2所述的集成電路器件，其中，X是2并且Y是3。

4.根據權利要求2所述的集成電路器件，其中，X是3并且Y是5。

5.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述預定的器件節距是多晶硅線節距。

6.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述集成電路器件包括對應于單元的器件，并且所述單元包括所述第一金屬互連層中的至少一個單元連接銷和所述第二金屬互連層中的至少一個單元連接銷。

7.根據權利要求6所述的集成電路器件，還包括形成在所述第二金屬互連層中的電源帶，其中，所述單元位于所述電源帶下方。

8.根據權利要求6所述的集成電路器件，其中，所述單元符合等式M0_Enc≤(Max_M0_長度-Max_M1_節距_長度-VIA0_寬度)/2，其中：

Max_M0_長度表示所述單元中的所述第一金屬互連層中的線的最大可能長度；

Max_M1_節距_長度表示所述單元中的所述第二金屬互連層中的兩條線之間的最大可能節距；

VIA0_寬度表示將所述第一金屬互連層中的線與所述第二金屬互連層中的線連接的通孔的寬度；以及

M0_Enc表示從所述第一金屬互連層中的線的最外邊緣到將所述第一金屬互連層中的線連接至所述第二金屬互連層中的線的最近可能的通孔的邊緣的距離。

9.根據權利要求1所述的集成電路器件，其中，所述集成電路器件包括器件的第一實例和第二實例，所述器件的第一實例對應于具有第一單元布局的第一單元，并且所述器件的第二實例對應于具有第二單元布局的第二單元，其中，所述第一單元和所述第二單元在所述器件層處具有相同的布局，并且其中，所述第一單元和所述第二單元在所述第二金屬互連層中具有相對于所述第一單元布局和所述第二單元布局中的共同的相同位置部件不同地定位的對應金屬線。

10.根據權利要求9所述的集成電路器件，

其中，所述集成電路器件具有用于所述第二金屬互連層中的金屬線的預定軌道位置，并且

所述第一單元和所述第二單元的所述對應金屬線不同地定位，每條對應金屬線與所述預定軌道位置的軌道位置對齊。