[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201810842292.1
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN110299339A
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 井上一裕
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L23/492
• 分類號: H01L23/492;H01L23/373;H01L23/367;H01L23/488
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

實施方式的半導體裝置具備：第1電極端子，包含銅；第2電極端子，包含銅；半導體芯片，設于第1電極端子之上，并設于第1電極端子的內側；金屬部件，設于半導體芯片之上，至少在2方向上向半導體芯片的外側突出，與第2電極端子電連接，并包含銅；以及包圍半導體芯片的模制樹脂。

相關申請

本申請享受以日本專利申請2018－56246號(申請日：2018年3月23日)為基礎申請的優先權。本申請通過參照該基礎申請而包含基礎申請的全部內容。

技術領域

實施方式涉及半導體裝置。

背景技術

半導體封裝內例如混合存在金屬的引線、半導體芯片、模制樹脂、金屬的散熱部件等熱膨脹系數不同的部件。因此，例如在焊料回流工序等熱工序中，擔心因在半導體封裝內產生的應力而產生半導體封裝內的裂紋等。

半導體封裝內的裂紋等的產生成為半導體封裝的初期不良、可靠性不良的原因。因此，要求減少半導體封裝內產生的應力。

發明內容

實施方式提供能夠減少應力的半導體裝置。

實施方式的半導體裝置具備：第1電極端子，包含銅；第2電極端子，包含銅；半導體芯片，設于第1電極端子之上，在從上方觀察的情況下未從第1電極端子的外周伸出；金屬部件，設于半導體芯片之上，在與第1電極端子的表面平行的至少2方向上向上半導體芯片的外側突出，與第2電極端子電連接，并包含銅；以及包圍上述半導體芯片的模制樹脂。

附圖說明

圖1A、1B是第1實施方式的半導體裝置的示意圖。

圖2A、2B是比較方式的半導體裝置的示意圖。

圖3A、3B是第2實施方式的半導體裝置的示意圖。

圖4是第2實施方式的半導體裝置的一部分的放大示意圖。

具體實施方式

關于本說明書中相同或者類似的部件，有時標注相同的附圖標記而省略重復的說明。

在本說明書中，為了示出部件等的位置關系，有時將附圖的上方向表述為“上”，將附圖的下方向表述為“下”。在本說明書中，“上、”“下”的概念并非必須是表示與重力的朝向的關系的術語。

(第1實施方式)

第1實施方式的半導體裝置是引線之上的半導體芯片被模制樹脂密封而成的半導體封裝100。

圖1A、1B是第1實施方式的半導體裝置的示意圖。圖1A是半導體封裝100的俯視圖。圖1A是對模制樹脂進行了透視的圖。圖1B是半導體封裝100的剖面圖。圖1B是圖1A的AA’剖面圖。

半導體封裝100具備漏極引線11(第1電極端子)、源極引線12(第2電極端子)、柵極引線13、半導體芯片15、第1金屬部件16(金屬部件)、第2金屬部件18、第1接合層21、第2接合層22、第3接合層23、模制樹脂30。

漏極引線11是板狀的金屬。漏極引線11例如包含銅。漏極引線11例如是純銅或者銅合金。漏極引線11是第1電極端子的一個例子。漏極引線11的下表面例如在模制樹脂的下表面露出。

源極引線12是金屬。源極引線12例如包含銅。源極引線12例如是純銅或者銅合金。源極引線12是第2電極端子的一個例子。

柵極引線13是金屬。柵極引線13例如包含銅。柵極引線13例如是純銅或者銅合金。

半導體芯片15設于漏極引線11之上。半導體芯片15在從上方觀察的情況下未從漏極引線11的外周伸出。半導體芯片15設于漏極引線11的內側。半導體芯片15的端部位于漏極引線11之上。在圖1A中，虛線表示半導體芯片15的端部的位置。