[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810841631.4
• 申請(qǐng)日: 2018-07-27
• 公開（公告）號(hào): CN109003989B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 貝亮亮;鄭麗華;陳國(guó)照
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，設(shè)置有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，顯示區(qū)包括開口區(qū)和非開口區(qū)，包括：襯底基板；第一緩沖層，覆蓋在襯底基板的第一表面；第一隔離層，設(shè)置在第一緩沖層遠(yuǎn)離襯底基板的表面；第二緩沖層，覆蓋在第一隔離層遠(yuǎn)離襯底基板的表面；位于非開口區(qū)的像素驅(qū)動(dòng)電路，像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置在第二緩沖層遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，并包括挖孔區(qū)；其中，第一隔離層和第二緩沖層在襯底基板上的正投影均與挖孔區(qū)交疊，第一隔離層和第二緩沖層在襯底基板上的正投影均與開口區(qū)不交疊。通過(guò)引入第一隔離層，有效改善了在陣列基板的開口區(qū)和挖孔區(qū)進(jìn)行挖槽的過(guò)程中導(dǎo)致的過(guò)刻或欠刻的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)

近年來(lái)，隨著液晶顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，液晶顯示(LCD，Liquid CrystalDisplay)裝置別是彩色液晶顯示器的應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷拓寬。由于液晶顯示裝置在顯示運(yùn)動(dòng)圖像方面的優(yōu)越性和高對(duì)比度，已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于電視或監(jiān)視器。總體上，液晶顯示裝置利用液晶分子的光學(xué)各異性和偏振特性來(lái)產(chǎn)生圖像。液晶顯示裝置通常包括相對(duì)設(shè)置的一基板和第二基板以及位于第一基板和第二基板之間的液晶層，液晶層中的液晶分子通過(guò)電場(chǎng)重新取向。因此，液晶分子的取向根據(jù)電場(chǎng)方向改變且液晶面板的透光率也變化，由此實(shí)現(xiàn)圖像的顯示功能。

有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED，Organic Light-Emitting Diode)也已經(jīng)成為海內(nèi)外非常熱門的平板顯示器產(chǎn)業(yè)，被喻為下一代的“明星”平板顯示技術(shù)，這主要是因?yàn)镺LED具有功耗低、自發(fā)光、反應(yīng)時(shí)間快、發(fā)光效率高、面板厚度薄、可制作大尺寸與可彎曲式面板、制程簡(jiǎn)單、低成本等特點(diǎn)。有機(jī)電致發(fā)光器件包括多個(gè)有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)包括反射電極(陽(yáng)極)、發(fā)光材料層和半反射電極(陰極)。空穴和電子分別從陽(yáng)極和陰極注入到發(fā)光材料層中，在發(fā)光材料層中結(jié)合產(chǎn)生激子且激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生能量，以此來(lái)實(shí)現(xiàn)發(fā)光。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，在像素驅(qū)動(dòng)電路和第一緩沖層之間引入了第一隔離層，陣列基板的開口區(qū)和挖孔區(qū)可分開刻蝕，還有效改善了在陣列基板的開口區(qū)和挖孔區(qū)進(jìn)行挖槽的過(guò)程中導(dǎo)致的過(guò)刻或欠刻的問(wèn)題。

第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板，設(shè)置有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)包括開口區(qū)和非開口區(qū)，所述陣列基板包括：

襯底基板；

第一緩沖層，覆蓋在所述襯底基板的第一表面；

第一隔離層，設(shè)置在所述第一緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面；

第二緩沖層，覆蓋在所述第一隔離層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面；

位于所述非開口區(qū)的像素驅(qū)動(dòng)電路，所述像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置在所述第二緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，并包括挖孔區(qū)；

其中，所述第一隔離層和所述第二緩沖層在所述襯底基板上的正投影均與所述挖孔區(qū)交疊，所述第一隔離層和所述第二緩沖層在所述襯底基板上的正投影均與所述開口區(qū)不交疊。

第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N陣列基板的制備方法，所述陣列基板設(shè)置有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)包括開口區(qū)和非開口區(qū)，所述制備方法包括：

提供襯底基板；

制作第一緩沖層，使所述第一緩沖層覆蓋在所述襯底基板的第一表面；

制作第一隔離層，使所述第一隔離層覆蓋在所述第一緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面；

制作第二緩沖層，使所述第二緩沖層覆蓋在所述第一隔離層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面；