[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810841631.4
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN109003989B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 貝亮亮;鄭麗華;陳國照
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京晟睿智杰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11603
• 代理人: 于淼

1.一種陣列基板，其特征在于，設(shè)置有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)包括開口區(qū)和非開口區(qū)，所述陣列基板包括：

襯底基板；

第一緩沖層，覆蓋在所述襯底基板的第一表面；

第一隔離層，設(shè)置在所述第一緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面；

第二緩沖層，覆蓋在所述第一隔離層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面；

位于所述非開口區(qū)的像素驅(qū)動(dòng)電路，所述像素驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置在所述第二緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)，并包括挖孔區(qū)；

其中，所述第一隔離層和所述第二緩沖層在所述襯底基板上的正投影均與所述挖孔區(qū)交疊，所述第一隔離層和所述第二緩沖層在所述襯底基板上的正投影均與所述開口區(qū)不交疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

色阻層，設(shè)置在所述第一緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面并位于所述開口區(qū)；以及，

平坦化層，覆蓋在所述色阻層和所述像素驅(qū)動(dòng)電路遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素驅(qū)動(dòng)電路包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的源漏極金屬層與所述色阻層之間的高度差為h，h≤0.6μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述色阻層的厚度為D0，1.5μm≤D0≤3μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一隔離層為氧化銦錫。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一隔離層的厚度為D1，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二緩沖層的厚度為D2，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一緩沖層、所述第一隔離層和所述第二緩沖層的總厚度為D3，其中，

9.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述陣列基板設(shè)置有顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)包括開口區(qū)和非開口區(qū)，所述制備方法包括：

提供襯底基板；

制作第一緩沖層，使所述第一緩沖層覆蓋在所述襯底基板的第一表面；

制作第一隔離層，使所述第一隔離層覆蓋在所述第一緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面；

制作第二緩沖層，使所述第二緩沖層覆蓋在所述第一隔離層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面；

在所述第二緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的一側(cè)制作像素驅(qū)動(dòng)電路，采用分步刻蝕的方式形成所述開口區(qū)和挖孔區(qū)，所述挖孔區(qū)位于所述非開口區(qū)，使所述第一隔離層和所述第二緩沖層在所述襯底基板上的正投影均與所述挖孔區(qū)交疊，并使所述第一隔離層和所述第二緩沖層在所述襯底基板上的正投影均與所述開口區(qū)不交疊。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括：

在所述開口區(qū)制作色阻層，使所述色阻層位于所述第一緩沖層遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面；

在所述色阻層和所述像素驅(qū)動(dòng)電路遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面形成平坦化層。