[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201810841318.0
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN108873528B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 曹誠英
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

本申請公開了一種陣列基板及其制造方法、顯示面板，屬于顯示技術領域。所述陣列基板包括：襯底基板，襯底基板上設置有導電結構，導電結構包括疊加的柵線和數據線；導電結構上設置有絕緣結構；絕緣結構上形成有公共電極層；其中，在襯底基板的非顯示區域上，絕緣結構中設置有正對柵線的第一凹陷結構，以及正對數據線的第二凹陷結構，且第一凹陷結構和第二凹陷結構的開口均遠離襯底基板，第一凹陷結構的底面與柵線的距離等于第二凹陷結構的底面與數據線的距離。本申請解決了第二電容中聚集較多的靜電荷，從而容易導致第二電容發生靜電擊穿的問題，本申請用于陣列基板。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示面板。

背景技術

液晶顯示面板主要包括相對設置的陣列基板和彩膜基板，以及設置在彩膜基板和陣列基板之間的液晶層。

陣列基板通常包括：襯底基板，以及依次設置在襯底基板上的柵線、柵絕緣層、數據線、數據絕緣層、平坦層、鈍化層和公共電極層，且柵線與公共電極層之間形成第一電容，數據線與公共電極之間形成第二電容。由于柵線與公共電極層的距離大于數據線與公共電極的距離，因此，第一電容小于第二電容。另外，公共電極層上還設置有液晶層的配向層，且在制造該配向層的過程中需要使用摩擦輥在陣列基板上滾動。在摩擦輥滾動的過程中，陣列基板表面會產生較多靜電荷，且靜電荷會在第一電容和第二電容處聚集。

由于第二電容大于第一電容，因此，第二電容中會聚集較多的靜電荷，從而容易導致第二電容發生靜電擊穿，進而影響了陣列基板的正常使用。

發明內容

本申請提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示面板，可以解決現有技術中第二電容中聚集較多的靜電荷，從而容易導致第二電容發生靜電擊穿的問題，所述技術方案如下：

一方面，提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括：襯底基板，

所述襯底基板上設置有導電結構，所述導電結構包括疊加的柵線和數據線；

所述導電結構上設置有絕緣結構；

所述絕緣結構上形成有公共電極層；

其中，在所述襯底基板的非顯示區域上，所述絕緣結構中設置有正對所述柵線的第一凹陷結構，以及正對所述數據線的第二凹陷結構，且所述第一凹陷結構和所述第二凹陷結構的開口均遠離所述襯底基板，所述第一凹陷結構的底面與所述柵線的距離等于所述第二凹陷結構的底面與所述數據線的距離。

可選地，所述公共電極層上設置有封框膠；

所述絕緣結構中設置有正對所述封框膠的目標凹陷結構，所述目標凹陷結構的開口遠離所述襯底基板，其中，所述第一凹陷結構和所述第二凹陷結構均位于所述目標凹陷結構內。

可選地，所述公共電極層上設置有封框膠；

所述絕緣結構中設置有正對所述封框膠的目標凹陷結構，所述目標凹陷結構的開口遠離所述襯底基板；

所述絕緣結構中設置有多個所述第二凹陷結構，且所述第一凹陷結構與一部分所述第二凹陷結構位于所述目標凹陷結構內，另一部分所述第二凹陷結構位于所述目標凹陷結構外。

可選地，所述絕緣結構包括：沿遠離所述導電結構的方向，依次設置在所述導電結構上的目標絕緣層、平坦層和鈍化層，所述絕緣結構中的凹陷結構位于所述數據絕緣層、平坦層和所述鈍化層中的至少一個膜層中。

可選地，所述柵線設置在所述襯底基板和所述數據線之間，且所述柵線與所述數據線之間設置有中間絕緣層。

另一方面，提供了一種陣列基板的制造方法，用于制造上述任一所述的陣列基板，所述方法包括：

在襯底基板上形成導電結構，所述導電結構包括疊加的柵線和數據線；