[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示面板

有效

• 申請號: 201810841318.0
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN108873528B
• 公開（公告）日: 2021-03-30
• 發明（設計）人: 曹誠英
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 楊廣宇

1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括：襯底基板，

所述襯底基板上設置有導電結構，所述導電結構包括疊加的柵線和數據線；

所述導電結構上設置有絕緣結構；

所述絕緣結構上形成有公共電極層；

其中，在所述襯底基板的非顯示區域上，所述絕緣結構中設置有正對所述柵線的第一凹陷結構，以及正對所述數據線的第二凹陷結構，且所述第一凹陷結構和所述第二凹陷結構的開口均遠離所述襯底基板，所述第一凹陷結構的底面與所述柵線的距離等于所述第二凹陷結構的底面與所述數據線的距離。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述公共電極層上設置有封框膠；

所述絕緣結構中設置有正對所述封框膠的目標凹陷結構，所述目標凹陷結構的開口遠離所述襯底基板，其中，所述第一凹陷結構和所述第二凹陷結構均位于所述目標凹陷結構內。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述公共電極層上設置有封框膠；

所述絕緣結構中設置有正對所述封框膠的目標凹陷結構，所述目標凹陷結構的開口遠離所述襯底基板；

所述絕緣結構中設置有多個所述第二凹陷結構，且所述第一凹陷結構與一部分所述第二凹陷結構位于所述目標凹陷結構內，另一部分所述第二凹陷結構位于所述目標凹陷結構外。

4.根據權利要求1至3任一所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣結構包括：沿遠離所述導電結構的方向，依次設置在所述導電結構上的目標絕緣層、平坦層和鈍化層，所述絕緣結構中的凹陷結構位于所述數據絕緣層、平坦層和所述鈍化層中的至少一個膜層中。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，

所述柵線設置在所述襯底基板和所述數據線之間，且所述柵線與所述數據線之間設置有中間絕緣層。

6.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，用于制造權利要求1至5任一所述的陣列基板，所述方法包括：

在襯底基板上形成導電結構，所述導電結構包括疊加的柵線和數據線；

在所述導電結構上形成絕緣結構；

在所述絕緣結構上形成有公共電極層；

其中，在所述襯底基板的非顯示區域上，所述絕緣結構中設置有正對所述柵線的第一凹陷結構，以及正對所述數據線的第二凹陷結構，且所述第一凹陷結構和所述第二凹陷結構的開口均遠離所述襯底基板，所述第一凹陷結構的底面與所述柵線的距離等于所述第二凹陷結構的底面與所述數據線的距離。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述絕緣結構上形成有公共電極層之后，所述方法還包括：

在所述公共電極層上形成封框膠；

其中，所述絕緣結構中設置有正對所述封框膠的目標凹陷結構，所述目標凹陷結構的開口遠離所述襯底基板，所述第一凹陷結構和所述第二凹陷結構均位于所述目標凹陷結構內。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述絕緣結構上形成有公共電極層之后，所述方法還包括：

在所述公共電極層上形成封框膠；

其中，所述絕緣結構中設置有正對所述封框膠目標凹陷結構，所述目標凹陷結構的開口遠離所述襯底基板；所述絕緣結構中設置有多個所述第二凹陷結構，且所述第一凹陷結構與一部分所述第二凹陷結構位于所述目標凹陷結構內，另一部分所述第二凹陷結構位于所述目標凹陷結構外。

9.根據權利要求6至8任一所述的方法，其特征在于，在所述柵線和所述數據線上形成絕緣結構，包括：

在所述導電結構上依次形成目標絕緣層、平坦層和鈍化層；

在所述目標絕緣層、平坦層和鈍化層中的至少一個膜層中形成所述絕緣結構中的凹陷結構。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括：權利要求1至5任一所述的陣列基板。