[發(fā)明專利]焊盤的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810840591.1
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN109065459A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發(fā)明（設計）人: 劉珊珊;廖漢忠;陳順利;丁逸圣
• 申請（專利權）人: 大連德豪光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L33/62
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 郭瑋;李雙皓

本發(fā)明涉及一種焊盤的制作方法。包括：在晶圓的電極的上表面形成掩膜層，掩膜層包括多個孔槽；在掩膜層上涂布錫膏，使得錫膏填滿多個孔槽；根據(jù)預設的第一溫度，對孔槽中的錫膏進行熱處理，使得孔槽中的錫膏呈熔融狀態(tài)；根據(jù)預設的第二溫度，對熱處理后的錫膏進行冷卻處理，使得孔槽中的錫膏呈固體狀態(tài)；去除掩膜層，得到焊盤。由于采用錫膏涂布的方式形成焊盤，相對采用蒸鍍、濺射、電鍍及電化學等方式，將合金材料制備成焊盤方法，工藝簡單，所用材料成本低，因此，本申請涉及的焊盤的制造方法，產能高，成本低。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別是涉及了一種焊盤的制作方法。

背景技術

隨著半導體技術的發(fā)展，半導體產品的尺寸越來越小，其對應的焊盤尺寸也隨之越來越小，因此，焊盤制作工藝顯得尤為重要。

傳統(tǒng)的焊盤制作工藝主要包括絲印固晶方式和共晶焊方式，尤其是在小焊盤的制作中，通常使用共晶焊方式。共晶焊方式一般采用蒸鍍、濺射、電鍍及電化學等方式，將能夠共晶焊的合金材料制備成焊盤。

但是，當焊盤厚度需求較高時，采用共晶焊方式會使得產能降低，且成本高。

發(fā)明內容

基于此，有必要針對小焊盤焊盤厚度需求較高時產能降低、成本高的問題，提供一種焊盤的制作方法。

一種焊盤的制作方法，所述方法包括：

在晶圓的電極的上表面形成掩膜層，所述掩膜層包括多個孔槽；

在所述掩膜層上涂布錫膏，使得所述錫膏填滿所述多個孔槽；

根據(jù)預設的第一溫度，對所述孔槽中的錫膏進行熱處理，使得所述孔槽中的錫膏呈熔融狀態(tài)；

根據(jù)預設的第二溫度，對熱處理后的錫膏進行冷卻處理，使得所述孔槽中的錫膏呈固體狀態(tài)；

去除所述掩膜層，得到所述焊盤。

在其中一個實施例中，對所述焊盤的固晶面進行研磨，使得所述焊盤的固晶面積最大。

在其中一個實施例中，所述去除所述掩膜層，得到所述焊盤之后，所述方法還包括：

對所述焊盤的固晶面進行研磨，使得所述焊盤的固晶面積最大。

在其中一個實施例中，所述在晶圓的電極的上表面形成掩膜層，包括：

通過貼膜的方式將薄膜材料粘合在所述晶圓上，形成薄膜層；

通過紫外線照射所述薄膜層，在所述薄膜層上形成所述多個孔槽，得到所述掩膜層。

在其中一個實施例中，所述在所述掩膜層上涂布錫膏，包括：

通過旋涂機將所述錫膏涂布在所述掩膜層上。

在其中一個實施例中，所述通過旋涂機將所述錫膏涂布在所述掩膜層上，包括：

根據(jù)預設的稀釋液和錫膏之間的比例，對所述錫膏進行稀釋，得到稀釋后的錫膏；

通過所述旋涂機將所述稀釋后的錫膏涂布在所述掩膜層上。

在其中一個實施例中，所述焊盤的徑向尺寸大于或者等于3μm，所述焊盤的厚度為4μm～120μm。

在其中一個實施例中，若焊點溫度小于預設的第三溫度，則所述錫膏包括錫元素、銀元素、錫元素和鉍元素；若所述焊點溫度大于或等于所述第三溫度，則所述錫膏包括錫元素、銅元素和金元素。

在其中一個實施例中，所述在晶圓的電極的上表面形成掩膜層之前，所述方法還包括：

采用沉積或濺射的方式，在所述晶圓上制備一金屬層，形成所述電極。