[發(fā)明專利]焊盤的制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810840591.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109065459A | 公開(公告)日: | 2018-12-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉珊珊;廖漢忠;陳順利;丁逸圣 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 大連德豪光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L33/62 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 郭瑋;李雙皓 |
| 地址: | 116051 遼寧省*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 焊盤 錫膏 掩膜層 孔槽 熱處理 預(yù)設(shè) 電化學(xué) 材料成本 固體狀態(tài) 合金材料 冷卻處理 熔融狀態(tài) 涂布錫膏 錫膏涂布 對(duì)孔槽 上表面 電鍍 電極 產(chǎn)能 濺射 晶圓 填滿 蒸鍍 去除 制備 制作 申請(qǐng) 制造 | ||
1.一種焊盤的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
在晶圓的電極的上表面形成掩膜層,所述掩膜層包括多個(gè)孔槽;
在所述掩膜層上涂布錫膏,使得所述錫膏填滿所述多個(gè)孔槽;
根據(jù)預(yù)設(shè)的第一溫度,對(duì)所述孔槽中的錫膏進(jìn)行熱處理,使得所述孔槽中的錫膏呈熔融狀態(tài);
根據(jù)預(yù)設(shè)的第二溫度,對(duì)熱處理后的錫膏進(jìn)行冷卻處理,使得所述孔槽中的錫膏呈固體狀態(tài);
去除所述掩膜層,得到所述焊盤。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述掩膜層,得到所述焊盤之后,所述方法還包括:
對(duì)所述焊盤的固晶面進(jìn)行研磨,使得所述焊盤的固晶面積最大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述在晶圓的電極的上表面形成掩膜層,包括:
通過貼膜的方式將薄膜材料粘合在所述晶圓上,形成薄膜層,所述薄膜材料為光敏材料;
通過紫外線照射所述薄膜層,在所述薄膜層上形成所述多個(gè)孔槽,得到所述掩膜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述在所述掩膜層上涂布錫膏,包括:
通過旋涂機(jī)將所述錫膏涂布在所述掩膜層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述通過旋涂機(jī)將所述錫膏涂布在所述掩膜層上,包括:
根據(jù)預(yù)設(shè)的稀釋液和錫膏之間的比例,對(duì)所述錫膏進(jìn)行稀釋,得到稀釋后的錫膏;
通過所述旋涂機(jī)將所述稀釋后的錫膏涂布在所述掩膜層上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述焊盤的徑向尺寸大于或者等于3μm,所述焊盤的厚度為4μm~120μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,若焊點(diǎn)溫度小于預(yù)設(shè)的第三溫度,則所述錫膏包括錫元素、銀元素、錫元素和鉍元素;若所述焊點(diǎn)溫度大于或等于所述第三溫度,則所述錫膏包括錫元素、銅元素和金元素。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述在晶圓的電極的上表面形成掩膜層之前,所述方法還包括:
采用沉積或?yàn)R射的方式,在所述晶圓上制備一金屬層,形成所述電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述電極的材質(zhì)為金元素材質(zhì);
或者,所述電極自下而上依次包括鎳元素層、鈦元素層和金元素層;
或者,所述電極自下而上依次包括鉻元素層和金元素層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述電極的厚度為100nm~300nm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





