[發(fā)明專(zhuān)利]存儲(chǔ)單元及其構(gòu)成的存儲(chǔ)陣列和OTP

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810840550.2
• 申請(qǐng)日: 2018-07-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109087679A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龔政;金建明;顧明;權(quán)力
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C17/12
• 分類(lèi)號(hào): G11C17/12
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種存儲(chǔ)單元，其特征在于：該存儲(chǔ)單元由一個(gè)NMOS組成；

編程模式，該NMOS漏極接0V電壓，NMOS柵極連接預(yù)設(shè)電壓；

讀取模式，該NMOS漏極連接0V電壓，NMOS柵極接電路電壓。

2.如權(quán)利要求1所述存儲(chǔ)單元，其特征在于：所述預(yù)設(shè)電壓大于等于該NMOS擊穿電壓。

3.如權(quán)利要求1所述存儲(chǔ)單元，其特征在于：測(cè)量NMOS柵極到漏極電流，通過(guò)電流值判斷該存儲(chǔ)單元是否被編程。

4.如權(quán)利要求2所述存儲(chǔ)單元，其特征在于：若測(cè)得NMOS柵極到漏極電流值小于第一閾值則判斷該存儲(chǔ)單元未被編程，若測(cè)得NMOS柵極到漏極電流值為大于第二閾值判斷該存儲(chǔ)單元已被編程。

5.如權(quán)利要求3所述存儲(chǔ)單元，其特征在于：第一閾值為10納安-100納安，第二閾值為0.1毫安-1毫安。

6.一種有權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述存儲(chǔ)單元組成的存儲(chǔ)陣列，其特征在于：由n×m個(gè)所述存儲(chǔ)單元組成n×m的存儲(chǔ)陣列，n和m均為自然數(shù)。

7.一種OTP，其特征在于，包括：供電電路、行地址譯碼電路、列地址譯碼電路、存儲(chǔ)單元陣列和電流型放大電路；

供電電路連接行地址譯碼電路，存儲(chǔ)單元陣列分別連接行地址譯碼電路、列地址譯碼電路和電流型放大電路；供電電路連接編程使能信號(hào)端，行地址譯碼電路連接讀信號(hào)端，電流型放大電路連接該只讀存儲(chǔ)器輸出端。

8.如權(quán)利要求7所述OTP，其特征在于：電流型放大電路包括第一～第三PMOS、第一～第二電阻、第一～第二開(kāi)關(guān)和第一NMOS；

第一～第三PMOS源極連接工作電壓，第一PMOS漏極通過(guò)串聯(lián)的第一開(kāi)關(guān)和第一電阻接地，第一PMOS柵極連接第一PMOS漏極和第二PMOS柵極；

第二PMOS漏極通過(guò)串聯(lián)的第二開(kāi)關(guān)和第二電阻接地并連接第三PMOS柵極，第三PMOS漏極連接第一NMOS源極，第一NMOS漏極連接地；

第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)分別連接第一信號(hào)輸入端和第二信號(hào)輸入端，第一NMOS柵極連接偏置信號(hào)端，第一NMOS源極連接該OTP輸出端。

9.如權(quán)利要求8所述OTP，其特征在于：第二PMOS的寬長(zhǎng)比為第一PMOS寬長(zhǎng)比的X倍，X≥1。

10.如權(quán)利要求9所述OTP，其特征在于：

若第二電阻阻值大于第一電阻阻值的1/X倍，在電流型放大電路包括輸出端輸出‘0’；

若第二電阻阻值小于第一電阻阻值的1/X倍，在電流型放大電路包括輸出端輸出‘1’。