[發明專利]氧化物氣化去除裝置

有效

• 申請號: 201810840380.8
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN109065431B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 賈麗麗;李芳;朱也方
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

本發明涉及一種氧化物氣化去除裝置，涉及半導體集成電路制造技術，包括反應腔體，所述反應腔體內包括一承片臺，用于承載一晶圓；進氣裝置，所述進氣裝置與所述反應腔體組接，所述進氣裝置包括蓋板、多個進氣管和多個氣體流量控制閥門，所述多個進氣管穿過所述蓋板，以使外界氣體可通過所述多個進氣管進入所述反應腔體內，每一所述進氣管上設置有一所述氣體流量控制閥門，用于控制流過所述進氣管的氣體的量；以及排氣裝置，所述排氣裝置與所述反應腔體組接，用于排出氧化物氣化去除過程中產生的氣體，以實現對晶圓上特定區域的氧化物進行氣化刻蝕去除，實現選擇性刻蝕。

技術領域

本發明涉及一種半導體集成電路制造技術，尤其涉及一種氧化物氣化去除裝置。

背景技術

在半導體集成電路技術中，晶圓上的氧化物薄膜去除是必不可少的步驟。在28 納米及以下的半導體生產研發中，通過氣化的方式去除氧化物薄膜，對不同生長方式的氧化膜刻蝕選擇比可接近1。氧化物氣化去除采用氣體(例如，氟化氫)對氧化物薄膜進行刻蝕，在28納米以及以下工藝研發過程中，由于前層工藝的影響，需要進行特定范圍的選擇性刻蝕。

因此在半導體集成電路制造中，需要一種氧化物氣化去除裝置，以實現精確的選擇性刻蝕。

發明內容

本發明的目的在于提供一種氧化物氣化去除裝置，以實現對晶圓上特定區域的氧化物進行氣化刻蝕去除，實現選擇性刻蝕。

本發明提供的氧化物氣化去除裝置，包括：反應腔體，所述反應腔體內包括一承片臺，用于承載一晶圓；進氣裝置，所述進氣裝置與所述反應腔體組接，所述進氣裝置包括蓋板、多個進氣管和多個氣體流量控制閥門，所述多個進氣管穿過所述蓋板，以使外界氣體可通過所述多個進氣管進入所述反應腔體內，每一所述進氣管上設置有一所述氣體流量控制閥門，用于控制流過所述進氣管的氣體的量；以及排氣裝置，所述排氣裝置與所述反應腔體組接，用于排出氧化物氣化去除過程中產生的氣體。

更進一步的，所述氣體流量控制閥門控制打開或關閉所述進氣管，或控制打開所述進氣管的大小。

更進一步的，所述氣體流量控制閥門為電動閥門。

更進一步的，每一所述進氣管還包括一噴氣孔，所述噴氣孔設置在所述蓋板上，并位于所述進氣管的靠近置于所述承片臺上的晶圓的一端。

更進一步的，所述進氣管由耐酸耐堿性材料制成。

更進一步的，所述反應腔體的一側壁上包括一開口，所述進氣裝置設置于所述開口內，并固定在所述開口內。

更進一步的，所述多個進氣管與置于承片臺上的晶圓相對設置。

更進一步的，所述多個進氣管與置于承片臺上的晶圓直接相對設置。

更進一步的，所述多個進氣管均勻設置在所述蓋板上。

更進一步的，所述多個進氣管覆蓋置于所述承片臺上的晶圓。

更進一步的，所述多個進氣管呈環形分布，且所述多個進氣管覆蓋的面積與置于所述承片臺上的晶圓的面積相同。

更進一步的，所述排氣裝置包括至少一排氣孔，所述至少一排氣孔設置在所述反應腔體的與所述蓋板相對側的側壁上。

更進一步的，所述排氣裝置包括兩個排氣孔，所述兩個排氣孔分別設置在所述承片臺的兩側。

更進一步的，所述排氣裝置還包括至少一抽氣機，每一所述排氣孔出口處設置一所述抽氣機。

在本發明一實施例中，通過在氧化物氣化去除裝置的反應腔體上設置進氣裝置，進氣裝置包括多個進氣管，每一進氣管上設置一氣體流量控制閥門，通過氣體流量控制閥門控制進氣管打開或關閉，或控制打開進氣管的大小，以實現對晶圓上特定區域的氧化物進行氣化刻蝕去除，實現選擇性刻蝕。

附圖說明