[發(fā)明專利]氧化物氣化去除裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810840380.8
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN109065431B
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈麗麗;李芳;朱也方
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種氧化物氣化去除裝置，其特征在于，包括：

反應(yīng)腔體，所述反應(yīng)腔體內(nèi)包括一承片臺(tái)，用于承載一晶圓；

進(jìn)氣裝置，反應(yīng)腔體的一側(cè)壁上包括一開口，進(jìn)氣裝置設(shè)置于開口內(nèi)，并固定在開口內(nèi),以與所述反應(yīng)腔體組接，所述進(jìn)氣裝置包括蓋板、多個(gè)進(jìn)氣管和多個(gè)氣體流量控制閥門，所述多個(gè)進(jìn)氣管穿過所述蓋板，以使外界氣體可通過所述多個(gè)進(jìn)氣管進(jìn)入所述反應(yīng)腔體內(nèi)，每一所述進(jìn)氣管上設(shè)置有一所述氣體流量控制閥門，用于控制流過所述進(jìn)氣管的氣體的量，每一所述進(jìn)氣管還包括一噴氣孔，所述噴氣孔設(shè)置在所述蓋板上，并位于所述進(jìn)氣管的靠近置于所述承片臺(tái)上的晶圓的一端，其中多個(gè)進(jìn)氣管與置于承片臺(tái)上的晶圓直接相對設(shè)置；以及

排氣裝置，所述排氣裝置與所述反應(yīng)腔體組接，用于排出氧化物氣化去除過程中產(chǎn)生的氣體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物氣化去除裝置，其特征在于，所述氣體流量控制閥門控制打開或關(guān)閉所述進(jìn)氣管，或控制打開所述進(jìn)氣管的大小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物氣化去除裝置，其特征在于，所述氣體流量控制閥門為電動(dòng)閥門。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物氣化去除裝置，其特征在于，所述進(jìn)氣管由耐酸耐堿性材料制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物氣化去除裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔體的一側(cè)壁上包括一開口，所述進(jìn)氣裝置設(shè)置于所述開口內(nèi)，并固定在所述開口內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物氣化去除裝置，其特征在于，所述多個(gè)進(jìn)氣管均勻設(shè)置在所述蓋板上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物氣化去除裝置，其特征在于，所述多個(gè)進(jìn)氣管覆蓋置于所述承片臺(tái)上的晶圓。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物氣化去除裝置，其特征在于，所述多個(gè)進(jìn)氣管呈環(huán)形分布，且所述多個(gè)進(jìn)氣管覆蓋的面積與置于所述承片臺(tái)上的晶圓的面積相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物氣化去除裝置，其特征在于，所述排氣裝置包括至少一排氣孔，所述至少一排氣孔設(shè)置在所述反應(yīng)腔體的與所述蓋板相對側(cè)的側(cè)壁上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氧化物氣化去除裝置，其特征在于，所述排氣裝置包括兩個(gè)排氣孔，所述兩個(gè)排氣孔分別設(shè)置在所述承片臺(tái)的兩側(cè)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的氧化物氣化去除裝置，其特征在于，所述排氣裝置還包括至少一抽氣機(jī)，每一所述排氣孔出口處設(shè)置一所述抽氣機(jī)。