[發(fā)明專利]在鋯合金表面制備SiC涂層的方法及其應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810840302.8
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN108754452B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉艷紅;胡慶;譚瑞軒;王曉婧;陳邦明;劉璐;黃澤蘭;李懷林;周煜;鄭明珉;甘真
• 申請（專利權(quán)）人: 國家電投集團科學(xué)技術(shù)研究院有限公司;崇義恒毅陶瓷復(fù)合材料有限公司
• 主分類號: C23C16/32
• 分類號: C23C16/32;C23C16/513;C23C16/02;C23G1/10
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 趙天月

1.一種在鋯合金表面制備SiC涂層的方法，其特征在于，包括：

將鋯合金表面進行拋光處理；

將進行所述拋光處理后的鋯合金進行酸洗處理；

利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積方法，在經(jīng)過所述酸洗處理的鋯合金的表面上形成SiC涂層；

對所述SiC涂層進行等離子體轟擊處理，所述等離子體轟擊處理的工藝條件為：底部溫度200-550℃，真空度10-190Pa，Ar流量160-400sccm，H₂流量40-280sccm，放電功率40-600W，處理時間10-60min；

于所述等離子體轟擊處理的溫度下對經(jīng)過所述等離子轟擊處理的SiC涂層保溫5-20h。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述SiC涂層的工藝條件為：底部溫度130-480℃，側(cè)壁溫度80-4000℃，真空度10-230Pa，Ar流量150-460sccm，H₂流量30-320sccm，CH₄流量20-180sccm，SiH₄流量5-130sccm，放電功率30-700W，沉積時間30-260min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，經(jīng)過所述酸洗處理后，所述鋯合金表面的粗糙度為0.2-0.4μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述酸洗處理是采用HF：HNO₃：H₂O的質(zhì)量比為(1-10)：(10-65)：(30-95)的混酸進行的，酸洗時間為30-500s。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在進行所述酸洗處理之后，形成所述SiC涂層之前，進一步包括：

對所述鋯合金進行超聲波清洗，所述超聲波清洗的時間為10-30min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在進行所述酸洗處理之后，形成所述SiC涂層之前，進一步包括：

對所述鋯合金進行恒溫恒壓處理，所述恒溫恒壓處理的工藝條件為：底部溫度100-260℃，壓強1-50Pa，處理時間4-12h。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在進行所述酸洗處理之后，形成所述SiC涂層之前，進一步包括：

對所述鋯合金進行等離子體放電清洗，所述等離子體放電清洗的工藝條件為：底部溫度150-500℃，側(cè)壁溫度100-350℃，真空度10-200Pa，Ar流量200-400sccm，H₂流量50-300sccm，放電功率50-500W，清洗時間10-120min。