[發明專利]濾除圖形匹配度誤報錯的方法

有效

• 申請號: 201810840252.3
• 申請日: 2018-07-27
• 公開（公告）號: CN109190159B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 顧婷婷;陳翰;張辰明
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G06F30/39
• 分類號: G06F30/39
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 欒美潔

本發明公開了一種濾除圖形匹配度誤報錯的方法，包括：步驟1，進行圖形匹配度檢查，輸出匹配區域；步驟2，在匹配區域中設置檢查區域；步驟3，檢查區域去除矩形的匹配區域形成temp1圖形；步驟4，檢查區域去除所有匹配區域形成temp2圖形；步驟5，檢查區域去除所有匹配區域的延伸圖形形成temp3圖形；步驟6，temp1圖形去除temp2圖形形成temp4圖形；步驟7，temp2圖形與temp4圖形有共同邊的圖形形成temp5圖形；步驟8，temp5圖形去除temp3圖形形成第一類圖形；步驟9，temp2圖形中選取寬度大于設定值的第二類圖形；步驟10，步驟8和步驟9的圖形合集為最終需檢查的圖形。本發明通過異或處理和圖形挑選可以有效地濾除圖形匹配度檢查中的誤報錯，大幅提升效率，并且不受SRAM圖形特征影響。

技術領域

本發明屬于半導體集成電路設計中的光學臨近效應修正技術，具體涉及一種濾除圖形匹配度誤報錯的方法，主要用于芯片版圖中重復單元的匹配性檢查。

背景技術

目前，PM(Pattern?Match，即圖形匹配度)在半導體集成電路行業內的應用越來越廣泛，這項技術通常應用于工藝熱點的檢查，運用PM技術查找相似圖形，以進一步輔助光學臨近修正(Optical?Proximity?Correction，即OPC)。

隨著PM技術的不斷發展，其應用范圍逐漸擴展，其中包括在靜態隨機存取存儲器(Static?Random-Access?Memory，即SRAM)中進行圖形匹配度檢查。

SRAM的圖形特征是擁有大量的重復單元，并且隨著半導體技術節點往越來越小尺寸的方向發展，這種重復單元的光學臨近修正一致性要求也越來越高，而PM技術正好可以檢查版圖中重復單元的匹配性。但是，由于SRAM圖形的邊緣和中間溝道的圖形不同于標準單元，因此PM技術在應用時會出現大量的誤報錯，這就造成人工審核時效率低下且有漏檢的風險。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種濾除圖形匹配度誤報錯的方法，可以解決利用PM技術對SRAM圖形進行檢查時出現大量誤報錯的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供的濾除圖形匹配度誤報錯的方法，包括如下步驟：

步驟1，利用PM技術進行SRAM圖形匹配度檢查，輸出匹配區域；

步驟2，在匹配區域中設置檢查區域；

步驟3，檢查區域去除矩形結構的匹配區域形成中間圖形temp1；

步驟4，檢查區域去除所有匹配區域形成中間圖形temp2；

步驟5，檢查區域去除所有匹配區域的延伸圖形形成中間圖形temp3；

步驟6，中間圖形temp1與中間圖形temp2進行異或運算形成中間圖形temp4；

步驟7，中間圖形temp2與中間圖形temp4有共同邊的圖形形成中間圖形temp5；

步驟8，中間圖形temp5去除中間圖形temp3進行異或運算形成需要人工審核的第一類圖形；

步驟9，在中間圖形temp2中選取需要人工審核的第二類圖形；

步驟10，步驟8形成的第一類圖形和步驟9形成的第二類圖形的合集為最終需進一步檢查的圖形。

進一步的，在步驟2中，所述檢查區域的各邊界與匹配區域的相鄰邊界之間的間距為1μm～3μm。

進一步的，在步驟9中，所述第二類圖形為中間圖形temp2中寬度大于溝道免檢范圍b的圖形。較佳的，所述溝道免檢范圍b的取值范圍為1.5μm～3.5μm。