[發(fā)明專利]重布線層的制造方法、晶圓級封裝方法及重布線層

有效

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• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN110767559B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 殷原梓
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

本發(fā)明提供了一種重布線層的制造方法、晶圓級封裝方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，首先在基底上形成第二介質(zhì)層，再在所述第二介質(zhì)層中形成多個暴露出所述焊墊的多通孔結(jié)構(gòu)，接著形成重布線層，所述重布線層覆蓋部分所述第二介質(zhì)層和所述多通孔結(jié)構(gòu)中各通孔的內(nèi)壁。由于在所述第二介質(zhì)層中形成多個暴露出所述焊墊的多通孔結(jié)構(gòu)，所述多通孔結(jié)構(gòu)可以減弱所述多通孔結(jié)構(gòu)內(nèi)的介質(zhì)層對重布線層的應(yīng)力，進(jìn)而避免了重布線開路，提高了封裝的質(zhì)量，使芯片的良率和可靠性進(jìn)一步提升。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種重布線層的制造方法、晶圓級封裝方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

晶圓級封裝(Wafer Level Packaging，WLP)是芯片封裝方式的一種，是將整片晶圓生產(chǎn)完成后，直接在晶圓上進(jìn)行封裝和測試，完成之后才切割制成單顆芯片，無需經(jīng)過打線或填膠。晶圓級封裝具有封裝尺寸小和封裝后電性能優(yōu)良的優(yōu)點(diǎn)，并且容易與晶圓制造和芯片組裝兼容，可以簡化晶圓制造到產(chǎn)品出貨的過程，降低整體生產(chǎn)成本。

然而，在進(jìn)行晶圓級封裝工藝時，重布線層容易發(fā)生碎裂，進(jìn)而導(dǎo)致芯片開路，使芯片的良率和可靠性降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種重布線層的制造方法、晶圓級封裝方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的重布線層容易發(fā)生碎裂，造成封裝產(chǎn)生缺陷等問題。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種重布線層的制造方法，所述重布線層的制造方法包括：

提供基底，所述基底上形成有第一介質(zhì)層及位于所述第一介質(zhì)層中的多個焊墊；

形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述第一介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層中形成有多個多通孔結(jié)構(gòu)，一個所述多通孔結(jié)構(gòu)暴露出一個所述焊墊；及

形成重布線層，所述重布線層覆蓋所述多通孔結(jié)構(gòu)中各通孔的內(nèi)壁并延伸覆蓋部分所述第二介質(zhì)層。

可選的，所述多通孔結(jié)構(gòu)中的多個通孔呈一行排列，每個所述通孔在行方向上的截面寬度小于等于5微米。

可選的，形成所述第二介質(zhì)層之后，所述重布線層的制造方法還包括：

形成第一鈍化層，所述第一鈍化層覆蓋所述多通孔結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁并延伸覆蓋所述第二介質(zhì)層。

可選的，形成所述重布線層的步驟包括：

在所述第一鈍化層上形成絕緣層，所述絕緣層暴露出所述多通孔結(jié)構(gòu)及部分所述第一鈍化層；

以所述絕緣層為掩膜，形成重布線層，所述重布線層覆蓋所述多通孔結(jié)構(gòu)中各通孔的內(nèi)壁并延伸覆蓋部分所述第一鈍化層；

去除所述絕緣層。

可選的，所述重布線層包括多條金屬線，多條所述金屬線呈多行排列，一條所述金屬線對應(yīng)至少一個所述多通孔結(jié)構(gòu)。

可選的，形成所述重布線層之后，所述重布線層的制造方法還包括：

形成第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層覆蓋所述重布線層及所述第一鈍化層并填充所述多通孔結(jié)構(gòu)；

在每個所述多通孔結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第三介質(zhì)層中形成第一溝槽，所述第一溝槽暴露出部分所述金屬線；

形成第二鈍化層，所述第二鈍化層覆蓋所述第一溝槽的內(nèi)壁并延伸覆蓋所述第三介質(zhì)層。

可選的，所述第一溝槽沿著行方向的截面寬度小于等于3微米。

可選的，每個所述多通孔結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一溝槽的數(shù)量相同。

可選的，所述第二介質(zhì)層的材料與所述第三介質(zhì)層的材料相同。