[發(fā)明專利]重布線層的制造方法、晶圓級封裝方法及重布線層

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810836291.6
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN110767559B
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 殷原梓
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/488
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種重布線層的制造方法，其特征在于，所述重布線層的制造方法包括：

提供基底，所述基底上形成有第一介質(zhì)層及位于所述第一介質(zhì)層中的多個焊墊；

形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層覆蓋所述第一介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層中形成有多個多通孔結(jié)構(gòu)，一個所述多通孔結(jié)構(gòu)暴露出一個所述焊墊；及

形成重布線層，所述重布線層覆蓋所述多通孔結(jié)構(gòu)中各通孔的內(nèi)壁并延伸覆蓋部分所述第二介質(zhì)層；

形成所述重布線層之后，所述重布線層的制造方法還包括：

形成第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層覆蓋所述重布線層并填充所述多通孔結(jié)構(gòu)，且每個所述多通孔結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第三介質(zhì)層中形成有第一溝槽；

在所述重布線層的每條金屬線覆蓋的多通孔結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第三介質(zhì)層中形成第一溝槽時，還形成多個第二溝槽，每個所述第二溝槽均暴露出部分所述金屬線；

形成所述第二溝槽之后，所述重布線層的制造方法還包括：

在所述第二溝槽中形成凸點。

2.如權(quán)利要求1所述的重布線層的制造方法，其特征在于，所述多通孔結(jié)構(gòu)中的多個通孔呈一行排列，每個所述通孔在行方向上的截面寬度小于等于5微米。

3.如權(quán)利要求2所述的重布線層的制造方法，其特征在于，形成所述第二介質(zhì)層之后，所述重布線層的制造方法還包括：

形成第一鈍化層，所述第一鈍化層覆蓋所述多通孔結(jié)構(gòu)的內(nèi)壁并延伸覆蓋所述第二介質(zhì)層。

4.如權(quán)利要求3所述的重布線層的制造方法，其特征在于，形成所述重布線層的步驟包括：

在所述第一鈍化層上形成絕緣層，所述絕緣層暴露出所述多通孔結(jié)構(gòu)及部分所述第一鈍化層；

以所述絕緣層為掩膜，形成重布線層，所述重布線層覆蓋所述多通孔結(jié)構(gòu)中各通孔的內(nèi)壁并延伸覆蓋部分所述第一鈍化層；

去除所述絕緣層。

5.如權(quán)利要求4所述的重布線層的制造方法，其特征在于，所述重布線層的多條所述金屬線呈多行排列，一條所述金屬線對應(yīng)至少一個所述多通孔結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求5所述的重布線層的制造方法，其特征在于，形成所述第三介質(zhì)層的步驟包括：

形成所述第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層覆蓋所述重布線層及所述第一鈍化層并填充所述多通孔結(jié)構(gòu)；

在每個所述多通孔結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第三介質(zhì)層中形成所述第一溝槽，所述第一溝槽暴露出部分所述金屬線；

形成第二鈍化層，所述第二鈍化層覆蓋所述第一溝槽的內(nèi)壁并延伸覆蓋所述第三介質(zhì)層。

7.如權(quán)利要求6所述的重布線層的制造方法，其特征在于，所述第一溝槽沿著行方向的截面寬度小于等于3微米。

8.如權(quán)利要求6所述的重布線層的制造方法，其特征在于，每個所述多通孔結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一溝槽的數(shù)量相同。

9.如權(quán)利要求6所述的重布線層的制造方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料與所述第三介質(zhì)層的材料相同。

10.如權(quán)利要求9所述的重布線層的制造方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的材料與所述第三介質(zhì)層的材料包括聚對苯撐苯并二噁唑纖維、聚酰亞胺和苯并環(huán)丁烯中的一種或多種。

11.如權(quán)利要求6所述的重布線層的制造方法，其特征在于，在所述第二溝槽中形成所述凸點的步驟包括：

在所述第二鈍化層上形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層中形成有開口，所述開口暴露出所述第二溝槽；

在所述開口及所述第二溝槽中填充導(dǎo)電材料；

去除所述圖形化的光刻膠層以在所述第二溝槽中形成導(dǎo)電柱；

在所述導(dǎo)電柱上形成焊球，所述導(dǎo)電柱及所述焊球構(gòu)成所述凸點。

12.一種晶圓級封裝方法，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-11中任一項所述的重布線層的制造方法形成所述重布線層。

13.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底及依次形成于所述基底上的第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層及重布線層，所述第一介質(zhì)層中形成有多個焊墊，所述第二介質(zhì)層中形成有多個多通孔結(jié)構(gòu)，一個所述多通孔結(jié)構(gòu)暴露出一個所述焊墊，所述重布線層覆蓋所述多通孔結(jié)構(gòu)中各通孔的內(nèi)壁并延伸覆蓋部分所述第二介質(zhì)層；

所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括第三介質(zhì)層，所述第三介質(zhì)層覆蓋所述重布線層并填充所述多通孔結(jié)構(gòu)，且每個所述多通孔結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第三介質(zhì)層中形成有第一溝槽，所述第三介質(zhì)層中還形成有多個第二溝槽，每個所述第二溝槽均暴露出所述重布線層的部分金屬線，所述第二溝槽中形成有凸點。