[發明專利]一種掩膜版、顯示基板及其制作方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201810835651.0
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN108919569B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 杜宏偉;李圭鉉;陳都
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1339
• 分類號: G02F1/1339
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;賈玉

本發明提供一種掩膜版、顯示基板及其制作方法和顯示裝置，所述掩膜版，用于制作顯示基板上的柱狀隔墊物，包括遮光層，所述遮光層包括遮光圖形和由所述遮光圖形包圍的多個開口圖形，在垂直于所述掩膜版平面的方向上，所述開口圖形的截面呈倒梯形，所述倒梯形不是直角梯形。采用本發明實施例的掩膜版制作隔墊物時，能夠遮擋、吸收開口圖形雙邊的平行半角的紫外線，使得制作的隔墊物的頂部尺寸與底部尺寸的差值減少，從而能在隔墊物底部尺寸不變的情況下，增大制得的隔墊物的頂部尺寸，提升制得的隔墊物的支撐力，從而能有效避免Mura不良。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種掩膜版、顯示基板及其制作方法和顯示裝置。

背景技術

液晶顯示面板部分主要是由陣列基板、彩膜(Color Filter，簡稱CF)基板以及兩者間的液晶組成。彩膜基板還設有柱狀隔墊物(Photo Spacer，簡稱PS)，用于支持液晶盒厚，以保持基板之間液晶的厚度均一性。

隨著科技的發展，對隔墊物的尺寸要求也越來越嚴格。例如：采用G8.5世代的設備和工藝設計標準生產的超精細像素(High pixel Per Inch，簡稱High PPI)顯示裝置、應用高開口率且高級超維場開關技術(High-Adwanced dimension Switch，HADS)的筆記本(NoteBook，NB)和手機(mobile)，要求隔墊物底部尺寸(PS Bottom CD)在15～25μm，由于瀕臨甚至超出了G8.5世代的設備和工藝設計標準，隔墊物頂部尺寸(PS Top CD)相應的在10～12微米，顯示面板(Panel)的單位支撐面積只能達到設計的40％～60％。因隔墊物支撐力不足導致的產品Mura，長期保持5％以上不能解決。從而，要求高透過率、高分辨率、像素面積精細化的高端產品往往只能轉向小世代產線或接受低良率，嚴重影響了高端產品的開發進度。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種掩膜版、顯示基板及其制作方法和顯示裝置，以解決現有技術中制作的隔墊物的支撐力不足的技術問題。

為解決上述技術問題，第一方面，本發明提供一種掩膜版，用于制作顯示基板上的柱狀隔墊物，所述掩膜版包括遮光層，所述遮光層包括遮光圖形和由所述遮光圖形包圍的多個開口圖形，在垂直于所述掩膜版平面的方向上，所述開口圖形的截面呈倒梯形，所述倒梯形不是直角梯形。

優選的，所述掩膜版還包括透明襯底，所述遮光層設置于所述透明襯底上。

優選的，所述遮光層包括至少兩層遮光膜，其中，在設定刻蝕條件下，從靠近所述透明襯底到遠離所述透明襯底的方向上，所述至少兩層遮光膜的刻蝕速率逐漸變小。

優選的，最靠近所述透明襯底的所述遮光膜采用鉻形成，其他所述遮光膜采用非鉻金屬、鉻的化合物和/或透明導電氧化物形成。

第二方面，本發明提供一種掩膜版的制作方法，所述掩膜版用于制作顯示基板上的柱狀隔墊物，所述方法包括：

形成所述掩膜版的遮光層，所述遮光層包括遮光圖形和由所述遮光圖形包圍的多個開口圖形，在垂直于所述掩膜版平面的方向上，所述開口圖形的截面呈倒梯形，所述倒梯形不是直角梯形。

優選的，所述形成所述掩膜版的遮光層的步驟包括：

提供一透明襯底；

在所述透明襯底上依次形成至少兩層遮光膜，其中，在設定刻蝕條件下，從靠近所述透明襯底到遠離所述透明襯底的方向上，所述至少兩層遮光膜的刻蝕速率逐漸變小；

在所述至少兩層遮光膜上形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進行構圖，形成光刻膠保留區和光刻膠去除區，所述光刻膠去除區對應所述開口圖形；

在設定刻蝕條件下，對所述光刻膠去除區的所述至少兩層遮光膜進行刻蝕，得到所述遮光圖形和所述開口圖形；