[發明專利]一種CMP拋光墊封邊工藝

在審

• 申請號: 201810834832.1
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN108972381A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發明（設計）人: 但文濤;姜千
• 申請（專利權）人: 成都時代立夫科技有限公司
• 主分類號: B24D11/00
• 分類號: B24D11/00;B24D18/00
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 白小明

本發明涉及CMP拋光墊加工制造領域，具體涉及一種CMP拋光墊封邊工藝。本發明中主要包括以下步驟：將拋光墊的襯底與基材進行貼合，貼合之后檢查拋光墊邊沿并進行修整；配置膠粘劑，并用海綿蘸取膠粘劑，均勻涂抹至拋光墊邊沿進行封邊，在常溫條件下進行干燥。本發明在基材與襯底貼合之后，通過對其邊沿進行修整、涂膠、封邊處理可有效防止拋光液中的水分通過縫隙進入襯底以及減少拋光液中的成分進入襯底，防止拋光墊在使用之后閑置時出現發霉現象，提高拋光墊的使用壽命；除此之外封邊工藝維持了拋光墊的水平度基本保持不變，從而保證拋光墊在后續的拋光過程中處于正常的工作狀態，提高產品的合格率，提高企業的經濟效益。

技術領域

本發明涉及CMP拋光墊加工制造領域，具體為一種CMP拋光墊封邊工藝。

背景技術

化學機械拋光(chemical mechanical polishing,CMP)是將機械研磨作用和化學氧化作用結合來去除被加工工件表面材料的一種微納米加工技術，該技術可以使被加工工件表面超平坦、超光滑，主要應用于IC和MEMS制造領域。在CMP時，旋轉的晶圓被壓在旋轉的拋光墊上，含有磨粒和化學品的拋光液在晶圓和拋光墊之間流動，晶圓表面材料在拋光液的化學作用和磨粒、拋光墊的機械作用下被不斷去除。一個完整的拋光墊從上到下的組成是基材、背膠、襯底，基材就是與晶圓接觸的部分，主要起磨拋作用，背膠將基材和襯底貼合在一起，襯底主要起支撐作用。晶圓CMP時材料去除率與表面接觸壓力、晶圓與拋光墊之間的相對速度、晶圓拋光墊之間的表面摩擦力有關。

由于襯底與基材通過背膠粘貼在一起，而拋光墊在正常使用過程中是處在拋光液不停噴灑的環境中，長期的工作環境下，拋光液會沿著縫隙進入襯底，會影響背膠的粘接力。除此之外，拋光墊在之后的放置過程中，水分侵入背膠的部分會出現發霉現象，一方面會影響拋光墊的美觀性，另一方面會影響后續的使用，因為經水浸潤的背膠會出現溶脹，局部背膠厚度會增加，粘貼后的水平度無法保證在良好狀態，影響后續產品質量；再者背膠與平臺的粘接力下降，造成拋光墊脫離機臺以及拋光液向外部飛濺等問題。

發明內容

針對上述問題，本發明的目的在于提供一種CMP拋光墊封邊工藝以解決采用目前拋光墊在使用過程中拋光液中的水分會進入背膠和襯底之間的縫隙中造成發霉以及影響拋光墊表面的水平度等問題。

一種CMP拋光墊封邊工藝，主要包括以下步驟：將拋光墊的襯底與基材進行貼合，貼合之后檢查拋光墊邊沿并進行修整；配置膠粘劑，并用海綿蘸取膠粘劑，均勻涂抹至拋光墊邊沿進行封邊，在常溫條件下進行干燥。

進一步地，拋光墊的襯底與基材通過貼合機進行貼合，貼合溫度為20-120℃，貼合機的傳送速度為200-2000mm/min。

進一步地，膠粘劑由以下方法制得：以Ailete221 AB膠為原料，將所述Ailete221AB膠在容器中按照體積比1:1的比例混合均勻。

進一步地，膠粘劑的用量為膠粘劑的用量為0.005-0.02g/cm²。

與現有技術相比，本發明的有益效果如下：本發明在基材與襯底貼合之后，通過對其邊沿進行修整、涂膠、封邊處理可有效防止拋光液中的水分通過縫隙進入襯底以及減少拋光液中的成分進入襯底，防止拋光墊在使用之后閑置時出現發霉現象，提高拋光墊的使用壽命；除此之外封邊工藝維持了拋光墊的水平度基本保持不變，從而保證拋光墊在后續的拋光過程中處于正常的工作狀態，提高產品的合格率，提高企業的經濟效益。

附圖說明

圖1是本發明提供的水分含量測試結果

圖2是本發明提供的粘性測試結果。

具體實施方式

為了進一步了解本發明，下面結合具體實施例對本發明方法和效果做進一步詳細的說明。