[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體熱處理設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810834696.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110767569A | 公開(公告)日: | 2020-02-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊帥;董金衛(wèi);楊慧萍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 11112 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北京*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 管部 進(jìn)氣管 通孔 外爐 爐管 工藝氣體 第二管 內(nèi)爐管 半導(dǎo)體熱處理設(shè)備 固定穩(wěn)定性 熱處理 反應(yīng)腔室 工藝效果 內(nèi)部連通 伸入設(shè)置 依次串接 整體固定 出氣端 反應(yīng)腔 進(jìn)氣端 均勻性 套置 外周 連通 半導(dǎo)體 室內(nèi) 外部 延伸 配合 | ||
本發(fā)明提供一種反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體熱處理設(shè)備,包括內(nèi)爐管,套置在內(nèi)爐管外周的外爐管和進(jìn)氣管,進(jìn)氣管包括依次串接且連通的第一管部、第二管部和第三管部;第一管部的出氣端伸入設(shè)置在內(nèi)爐管上的第一通孔中,且第一管部通過(guò)第一通孔與內(nèi)爐管的內(nèi)部連通;第二管部設(shè)置在內(nèi)爐管和外爐管之間,第三管部的進(jìn)氣端通過(guò)設(shè)置在外爐管上的第二通孔延伸至外爐管的外部;第一管部與第一通孔相配合,且第三管部固定在第二通孔處,以能夠使進(jìn)氣管整體固定不動(dòng)。其可以提高進(jìn)氣管的固定穩(wěn)定性,并能夠防止進(jìn)氣管與基片發(fā)生碰撞,減少損失,且工藝氣體不會(huì)受到進(jìn)氣管自身結(jié)構(gòu)的影響,提高工藝氣體在反應(yīng)腔室內(nèi)分布的均勻性,從而提高半導(dǎo)體熱處理的工藝效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體熱處理設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體熱處理設(shè)備。
背景技術(shù)
目前,半導(dǎo)體熱處理設(shè)備是集成電路制造的重要工藝設(shè)備,主要包括反應(yīng)腔室及石英進(jìn)氣管,工藝氣體通過(guò)石英進(jìn)氣管進(jìn)入反應(yīng)腔室內(nèi)。石英進(jìn)氣管的出氣口位置以及其自身結(jié)構(gòu)都會(huì)影響工藝氣體的在反應(yīng)腔室內(nèi)的分布,進(jìn)而影響半導(dǎo)體熱處理的工藝效果,因此,石英進(jìn)氣管的安裝位置以及穩(wěn)定性對(duì)于半導(dǎo)體熱處理設(shè)備是非常重要的。
如圖1所示,在現(xiàn)有的一種半導(dǎo)體熱處理設(shè)備中,進(jìn)氣管11包括水平部分與豎直部分,其中,豎直部分位于反應(yīng)腔室內(nèi),水平部分的一端與豎直部分連接,另一端穿過(guò)反應(yīng)腔室壁12,并向外延伸。工藝氣體依次通過(guò)水平部分與豎直部分進(jìn)入反應(yīng)腔室內(nèi)。并且,在反應(yīng)腔室內(nèi),且位于豎直部分的下方還設(shè)置有支架13,該支架13具有螺紋孔13,并在該螺紋孔13中安裝有螺栓14,該螺栓14的上端與進(jìn)氣管11的水平部分抵接,以起到支撐進(jìn)氣管11的作用,并可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)螺栓14來(lái)調(diào)整進(jìn)氣管11的位置。
在圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)中,進(jìn)氣管11僅由螺栓14支撐,容易造成進(jìn)氣管11發(fā)生傾斜,導(dǎo)致進(jìn)氣管11的出氣口位置發(fā)生變化,從而影響工藝氣體在反應(yīng)腔室中的分布,并且螺栓14直接頂在進(jìn)氣管11的底部,容易造成進(jìn)氣管11的底壁發(fā)生破碎,而且由于進(jìn)氣管11設(shè)置在反應(yīng)腔室內(nèi)部,進(jìn)氣管11自身結(jié)構(gòu)會(huì)影響工藝氣體的氣流以及溫度的均勻性,且若進(jìn)氣管11的固定失效,進(jìn)氣管11可能會(huì)傾斜并磕碰反應(yīng)腔室內(nèi)的基片,造成嚴(yán)重?fù)p失,并且由于反應(yīng)腔室內(nèi)溫度較高,容易出現(xiàn)螺栓14與螺紋孔13卡死或者松動(dòng)影響進(jìn)氣管11的正常使用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一,提出了一種反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體熱處理設(shè)備,其可以提高進(jìn)氣管的固定穩(wěn)定性,并能夠防止進(jìn)氣管與基片發(fā)生碰撞,減少損失,且工藝氣體不會(huì)受到進(jìn)氣管自身結(jié)構(gòu)的影響,提高工藝氣體在反應(yīng)腔室內(nèi)分布的均勻性,從而提高半導(dǎo)體熱處理的工藝效果。
為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種反應(yīng)腔室,包括內(nèi)爐管和套置在所述內(nèi)爐管外周的外爐管,還包括進(jìn)氣管,所述進(jìn)氣管包括依次串接且連通的第一管部、第二管部和第三管部,其中,
所述內(nèi)爐管上設(shè)置有第一通孔;所述第一管部的出氣端伸入所述第一通孔中,且所述第一管部通過(guò)所述第一通孔與所述內(nèi)爐管的內(nèi)部連通;
所述第二管部設(shè)置在所述內(nèi)爐管和外爐管之間;
所述外爐管上設(shè)置有第二通孔;所述第三管部的進(jìn)氣端通過(guò)所述第二通孔延伸至所述外爐管的外部;
所述第一管部與所述第一通孔相配合,且所述第三管部固定在所述第二通孔處,以能夠使所述進(jìn)氣管整體固定不動(dòng)。
優(yōu)選的,所述第一通孔的直徑大于或者等于所述第一管部的外徑;并且,在所述第一通孔的直徑大于所述第一管部的外徑時(shí),所述第一管部與所述第一通孔相接觸,以限定所述第一管部的位置。
優(yōu)選的,所述第二管部與所述外爐管的內(nèi)側(cè)壁相貼合。
優(yōu)選的,所述內(nèi)爐管的管壁上沿其厚度方向貫穿形成所述第一通孔;所述外爐管的管壁上沿其厚度方向貫穿形成所述第二通孔;
所述第一管部水平設(shè)置;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





