[發明專利]反應腔室及半導體熱處理設備

在審

• 申請號: 201810834696.6
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN110767569A
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 楊帥;董金衛;楊慧萍
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 11112 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種反應腔室，包括內爐管和套置在所述內爐管外周的外爐管，其特征在于，還包括進氣管，所述進氣管包括依次串接且連通的第一管部、第二管部和第三管部，其中，

所述內爐管上設置有第一通孔；所述第一管部的出氣端伸入所述第一通孔中，且所述第一管部通過所述第一通孔與所述內爐管的內部連通；

所述第二管部設置在所述內爐管和外爐管之間；

所述外爐管上設置有第二通孔；所述第三管部的進氣端通過所述第二通孔延伸至所述外爐管的外部；

所述第一管部與所述第一通孔相配合，且所述第三管部固定在所述第二通孔處，以能夠使所述進氣管整體固定不動。

2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述第一通孔的直徑大于或者等于所述第一管部的外徑；并且，在所述第一通孔的直徑大于所述第一管部的外徑時，所述第一管部與所述第一通孔相接觸，以限定所述第一管部的位置。

3.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述第二管部與所述外爐管的內側壁相貼合。

4.根據權利要求1-3任意一項所述的反應腔室，其特征在于，所述內爐管的管壁上沿其厚度方向貫穿形成所述第一通孔；所述外爐管的管壁上沿其厚度方向貫穿形成所述第二通孔；

所述第一管部水平設置；

所述第三管部水平設置。

5.根據權利要求1-3任意一項所述的反應腔室，其特征在于，所述第三管部的外徑大于所述第二管部的外徑；并且，所述進氣管還包括過渡管部，所述過渡管部串接在所述第三管部與第二管部之間，且所述過渡管部的兩端的外徑分別與所述第三管部與第二管部相等，并且所述過渡管部的外徑自所述第二管部向所述第三管部逐漸增大。

6.根據權利要求1-3任意一項所述的反應腔室，其特征在于，還包括固定接頭，所述固定接頭設置在所述外爐管的外周壁上，且在所述固定接頭中設置有固定孔，所述第三管部設置在所述固定孔中，用于使所述第三管部在所述第二通孔中固定不動。

7.根據權利要求6所述的反應腔室，其特征在于，在所述固定孔與所述第三管部之間設置有密封圈。

8.根據權利要求7所述的反應腔室，其特征在于，所述密封圈為至少兩個，且沿所述第三管部的軸向間隔設置。

9.根據權利要求8所述的反應腔室，其特征在于，所述反應腔室還包括連接管，所述連接管的一部分位于所述固定孔中，且套置在所述第三管部上；所述連接管的其余部分位于所述固定接頭的外部，用于連接氣源；并且，在所述連接管與所述第三管部之間設置有密封圈。

10.一種半導體熱處理設備，其特征在于，包括權利要求1-9任意一項所述的反應腔室。