[發明專利]半導體結構及其制造方法在審
| 申請號: | 201810834043.8 | 申請日: | 2014-02-21 |
| 公開(公告)號: | CN108807190A | 公開(公告)日: | 2018-11-13 |
| 發明(設計)人: | 林少雄;周輝星 | 申請(專利權)人: | 先進封裝技術私人有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/16;H01L23/495;H01L23/498;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京世峰知識產權代理有限公司 11713 | 代理人: | 卓霖;許向彤 |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 支撐組件 半導體結構 錨合 第一表面 組件配置 強化層 耦接 制造 配置 | ||
本發明有關于一種半導體結構及其制造方法。半導體結構包括層組件、一個或多個支撐組件及一個或多個錨合組件,支撐組件配置在層組件的第一表面上,錨合組件配置在層組件內且連接至一個或多個支撐組件,以將一個或多個支撐組件耦接至層組件,進而強化層組件。
本申請是申請號為201480023460.4、申請日為2014年2月21日、發明名稱為“半導體結構及其制造方法”的PCT國際發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明有關于一種半導體結構及其制造方法。
背景技術
如智能型手機、平板計算機、與便攜計算機的電子裝置的問世已經造成高效能集成電路(IC)的需求增加。這些電子裝置不斷地朝向更高功能性與尺寸微型化發展。為了跟上這一趨勢,集成電路封裝變得更小、更薄、且更致密。
可以通過增加配線密度與減少集成電路封裝中所使用的基板的厚度,以減少集成電路封裝的尺寸與厚度。然而,由于基板的厚度減少,在操作與接續組裝過程步驟的期間,基板變得更易于損毀(例如破裂或凹陷)。當用于基板的材料具有高的撓曲模數(為了達到低的熱膨脹系數(CTE))時,這種情況特別常見。當為了減少制造成本而將基板的尺寸增加,以在各個基板上容納更多裝置單元時,此種情況更加明顯。
因此,為了尋求解決上述問題中的至少一個問題,需要提供一種半導體結構及其制造方法。
發明內容
根據本發明的第一方面,提供一種半導體結構,包括層組件、一個或多個支撐組件及一個或多個錨合組件,支撐組件配置于層組件的第一表面上,錨合組件配置于層組件內且連接于一個或多個支撐組件,以耦接一個或多個支撐組件于層組件,進而強化層組件。
在一實施例中,一個或多個錨合組件中的至少一個的一部分可以暴露于層組件的第二表面上,第二表面相對于第一表面。
在一實施例中,半導體結構還可以包括一個或多個加強組件,加強組件配置于層組件的第二表面的至少一部分上,其中一個或多個錨合組件可以連接于一個或多個加強組件,以耦接一個或多個加強組件于層組件,進而更加強化層組件。
在一實施例中,半導體結構還可以包括一個或多個加強組件,加強組件配置于一個或多個支撐組件的至少一部分上,以進一步加強化層組件。
在一實施例中,一個或多個支撐組件可以包括磁性材料。一個或多個支撐組件還可以包括涂層,涂層是配置于磁性材料的至少一部分上方。
在一實施例中,一個或多個支撐組件可以配置于層組件的邊緣部分。在一實施例中,一個或多個支撐組件的一部分可以延伸至層組件的邊緣部分外,以限定懸掛部分。懸掛部分包括一個或多個貫穿孔。
在一實施例中,層組件可以包括具有一個或多個電子組件的絕緣基板層組件。
在一實施例中,半導體結構可以包括支撐組件,其中所述一個支撐組件環繞承載組件的邊緣延伸。
在一實施例中,一個或多個錨合組件種的至少一個可以是柱體或圓柱。
在一實施例中,半導體結構還可以包括另外的層組件、以及一個或多個另外的錨合組件,另外的錨合組件可以配置于另外的層組件內且連接于層組件的一個或多個錨合組件,以強化層組件與另外的層組件二者。
根據本發明的第二方面,提供一種半導體結構的制造方法,該方法包括形成一個或多個錨合組件于載件上方、封裝一個或多個錨合組件于層組件內、以及選擇性地蝕刻載件,以形成一個或多個支撐組件。
在一實施例中,方法還可以包括形成一個或多個電子組件于載件上。
在一實施例中,方法還可以包括形成一個或多個貫穿孔于一個或多個支撐組件內。
在一實施例中,方法還可以包括平面化層組件,以暴露一個或多個錨合組件中的至少一個的至少一部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





