[發(fā)明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810834043.8
• 申請日: 2014-02-21
• 公開（公告）號: CN108807190A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設計）人: 林少雄;周輝星
• 申請（專利權）人: 先進封裝技術私人有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/00;H01L23/16;H01L23/495;H01L23/498;H01L23/544
• 代理公司: 北京世峰知識產權代理有限公司 11713
• 代理人: 卓霖;許向彤

1.一種半導體結構，包括：

層組件；以及

一個或多個錨合組件，其配置在該層組件內。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中，該一個或多個錨合組件中至少一個的一部分暴露在該層組件的第二表面上，該第二表面與該第一表面相對。

3.如權利要求2所述的半導體結構，還包括：一個或多個加強組件，其配置在該層組件的第二表面的至少一部分上；其中，該一個或多個錨合組件連接至該一個或多個加強組件，以將該一個或多個加強組件耦接至該層組件，進而進一步強化該層組件。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中，該層組件包括具有一個或多個電子組件的絕緣基板層組件。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其中，所述錨合組件環(huán)繞承載組件的邊緣延伸。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其中，該一個或多個錨合組件中的至少一個是柱體或圓柱。

7.如權利要求1所述的半導體結構，還包括：

另外的層組件；以及

一個或多個另外的錨合組件，其配置在該另外的層組件內且連接至該層組件的一個或多個錨合組件，以強化該層組件和該另外的層組件。

8.一種半導體結構的制造方法，該方法包括：

在載件上方形成一個或多個錨合組件；以及

將該一個或多個錨合組件封裝在層組件內。

9.如權利要求8所述的方法，還包括：在該載件上方形成一個或多個電子組件。

10.如權利要求8所述的方法，還包括：平面化該層組件，以暴露該一個或多個錨合組件中至少一個的至少一部分。

11.如權利要求10所述的方法，其中，平面化該層組件包括將載件磁性固定至工作平面。

12.如權利要求11所述的方法，其中，將載件磁性固定至工作平面包括將包含磁性材料的載件配置在包含電磁鐵或永久磁鐵的工作平面上。

13.如權利要求10所述的方法，還包括：在該一個或多個暴露的錨合組件的至少一部分上方形成一個或多個加強組件。

14.如權利要求8所述的方法，還包括：在內部磁性核心的至少一部分上方形成涂層，其中，該內部磁性核心和涂層限定該載件。

15.如權利要求8所述的方法，還包括：在該層組件中形成一個或多個分隔間隙。