[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室和半導(dǎo)體熱處理設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810826689.1
• 申請日: 2018-07-25
• 公開（公告）號: CN110767567B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郝琪;楊帥;孫志坤
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;姜春咸

本發(fā)明提供了一種反應(yīng)腔室，包括腔室本體，還包括旋轉(zhuǎn)盤、套設(shè)在所述旋轉(zhuǎn)盤外周的導(dǎo)流板、以及位于所述旋轉(zhuǎn)盤下方的冷卻盤，其中，所述冷卻盤上設(shè)有相連通的環(huán)形通道和第一進氣通道，所述環(huán)形通道的靠近所述冷卻盤外邊緣的側(cè)壁與所述導(dǎo)流板的外周壁之間、所述導(dǎo)流板的頂壁與所述腔室本體的底壁之間共同形成邊緣導(dǎo)流結(jié)構(gòu)，防腐蝕氣體能由所述第一進氣通道經(jīng)所述邊緣導(dǎo)流結(jié)構(gòu)進入所述腔室本體。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體處理設(shè)備。所述反應(yīng)腔室通過所述邊緣導(dǎo)流結(jié)構(gòu)防止所述腔室本體內(nèi)的腐蝕性工藝氣體對所述冷卻盤和所述旋轉(zhuǎn)盤造成腐蝕。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備工藝領(lǐng)域，具體涉及一種反應(yīng)腔室和半導(dǎo)體熱處理設(shè)備。

背景技術(shù)

硅片是一種重要的半導(dǎo)體材料，所述硅片的氧化工藝是一種對硅片所處的環(huán)境要求非常高的工藝，在所述氧化工藝過程中會向工藝腔室中通入C₂H₂Cl₂、Cl₂或HCl等腐蝕性工藝氣體，所述腐蝕性工藝氣體會對工藝腔室的金屬密封門、支撐硅片反應(yīng)的金屬旋轉(zhuǎn)盤等部件具有比較強的腐蝕性，金屬部件被腐蝕后產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物，會隨著工藝腔室的氣流附著于硅片的表面，造成硅片的污染，影響硅片的氧化質(zhì)量。

因此，如何設(shè)計一種反應(yīng)腔室，改善所述反應(yīng)腔室的底部結(jié)構(gòu)，防止所述反應(yīng)腔室內(nèi)的腐蝕性工藝氣體對所述底部結(jié)構(gòu)中金屬組件的腐蝕，成為本領(lǐng)域亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種反應(yīng)腔室和一種半導(dǎo)體熱處理設(shè)備。所述反應(yīng)腔室通過所述邊緣導(dǎo)流結(jié)構(gòu)防止所述腔室本體內(nèi)的腐蝕性工藝氣體對所述冷卻盤和所述旋轉(zhuǎn)盤造成腐蝕。

為至少解決上述問題之一，作為本發(fā)明第一個方面，提供了一種反應(yīng)腔室，包括腔室本體，其中，還包括旋轉(zhuǎn)盤、套設(shè)在所述旋轉(zhuǎn)盤外周的導(dǎo)流板、以及位于所述旋轉(zhuǎn)盤下方的冷卻盤，其中，

所述冷卻盤上設(shè)有相連通的環(huán)形通道和第一進氣通道，所述環(huán)形通道的靠近所述冷卻盤外邊緣的側(cè)壁與所述導(dǎo)流板的外周壁之間、所述導(dǎo)流板的頂壁與所述腔室本體的底壁之間共同形成邊緣導(dǎo)流結(jié)構(gòu)，防腐蝕氣體能由所述第一進氣通道經(jīng)所述邊緣導(dǎo)流結(jié)構(gòu)進入所述腔室本體。

優(yōu)選地，所述反應(yīng)腔室還包括定位件和位于所述腔室本體內(nèi)的保溫座，所述保溫座與所述旋轉(zhuǎn)盤連接，且所述保溫座在朝向所述導(dǎo)流板的一側(cè)邊緣處設(shè)有所述定位件，所述定位件上設(shè)有環(huán)形凹槽，其中，

所述導(dǎo)流板上設(shè)有能容納在所述環(huán)形凹槽中的環(huán)形凸起，所述冷卻盤的頂壁與所述旋轉(zhuǎn)盤的底壁之間、所述定位件與所述環(huán)形凸起之間共同形成輔助導(dǎo)流結(jié)構(gòu)；

所述輔助導(dǎo)流結(jié)構(gòu)與第二進氣通道連通，所述防腐蝕氣體能由所述第二進氣通道經(jīng)所述輔助導(dǎo)流結(jié)構(gòu)進入所述腔室本體。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)流板包括環(huán)狀主體板、折邊板和所述環(huán)形凸起，其中，所述環(huán)狀主體板外邊緣向上彎折后再沿其徑向向外延伸形成所述折邊板，所述環(huán)狀主體板內(nèi)邊緣處設(shè)有所述環(huán)形凸起。

優(yōu)選地，所述冷卻盤上表面凹陷形成所述環(huán)形通道，所述環(huán)形通道包括通道底壁、靠近所述冷卻盤外邊緣的第一環(huán)形側(cè)壁以及與所述第一環(huán)形側(cè)壁相對的第二環(huán)形側(cè)壁，其中，

所述第一環(huán)形側(cè)壁與所述折邊板的外周壁之間形成第一導(dǎo)流通道，所述折邊板的頂壁對應(yīng)的與所述腔室本體的底壁之間形成第二導(dǎo)流通道，所述第一導(dǎo)流通道和所述第二導(dǎo)流通道相連通形成所述邊緣導(dǎo)流結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述第一進氣通道的一端連接至所述通道底壁，另一端連接進氣管路。

優(yōu)選地，所述定位件包括定位環(huán)，所述定位環(huán)上設(shè)有所述環(huán)形凹槽，所述環(huán)形凹槽遠離中心的一個槽側(cè)壁邊緣沿所述定位環(huán)徑向向外延伸形成第一延伸板，所述環(huán)形凹槽靠近中心的一個槽側(cè)壁邊緣沿所述定位環(huán)徑向向內(nèi)延伸形成第二延伸板，其中，