[發(fā)明專利]反應(yīng)腔室和半導(dǎo)體熱處理設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810826689.1
• 申請日: 2018-07-25
• 公開（公告）號: CN110767567B
• 公開（公告）日: 2022-03-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郝琪;楊帥;孫志坤
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;姜春咸

1.一種反應(yīng)腔室，包括腔室本體，其特征在于，還包括旋轉(zhuǎn)盤、套設(shè)在所述旋轉(zhuǎn)盤外周的導(dǎo)流板、以及位于所述旋轉(zhuǎn)盤下方的冷卻盤，其中，

所述冷卻盤上設(shè)有相連通的環(huán)形通道和第一進(jìn)氣通道，所述環(huán)形通道的靠近所述冷卻盤外邊緣的側(cè)壁與所述導(dǎo)流板的外周壁之間、所述導(dǎo)流板的頂壁與所述腔室本體的底壁之間共同形成邊緣導(dǎo)流結(jié)構(gòu)，防腐蝕氣體能由所述第一進(jìn)氣通道經(jīng)所述邊緣導(dǎo)流結(jié)構(gòu)進(jìn)入所述腔室本體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，還包括定位件和位于所述腔室本體內(nèi)的保溫座，所述保溫座與所述旋轉(zhuǎn)盤連接，且所述保溫座在朝向所述導(dǎo)流板的一側(cè)邊緣處設(shè)有所述定位件，所述定位件上設(shè)有環(huán)形凹槽，其中，

所述導(dǎo)流板上設(shè)有能容納在所述環(huán)形凹槽中的環(huán)形凸起，所述冷卻盤的頂壁與所述旋轉(zhuǎn)盤的底壁之間、所述定位件與所述環(huán)形凸起之間共同形成輔助導(dǎo)流結(jié)構(gòu)；

所述輔助導(dǎo)流結(jié)構(gòu)與第二進(jìn)氣通道連通，所述防腐蝕氣體能由所述第二進(jìn)氣通道經(jīng)所述輔助導(dǎo)流結(jié)構(gòu)進(jìn)入所述腔室本體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述導(dǎo)流板包括環(huán)狀主體板、折邊板和所述環(huán)形凸起，其中，所述環(huán)狀主體板外邊緣向上彎折后再沿其徑向向外延伸形成所述折邊板，所述環(huán)狀主體板內(nèi)邊緣處設(shè)有所述環(huán)形凸起。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述冷卻盤上表面凹陷形成所述環(huán)形通道，所述環(huán)形通道包括通道底壁、靠近所述冷卻盤外邊緣的第一環(huán)形側(cè)壁以及與所述第一環(huán)形側(cè)壁相對的第二環(huán)形側(cè)壁，其中，

所述第一環(huán)形側(cè)壁與所述折邊板的外周壁之間形成第一導(dǎo)流通道，所述折邊板的頂壁對應(yīng)的與所述腔室本體的底壁之間形成第二導(dǎo)流通道，所述第一導(dǎo)流通道和所述第二導(dǎo)流通道相連通形成所述邊緣導(dǎo)流結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述第一進(jìn)氣通道的一端連接至所述通道底壁，另一端連接進(jìn)氣管路。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述定位件包括定位環(huán)，所述定位環(huán)上設(shè)有所述環(huán)形凹槽，所述環(huán)形凹槽遠(yuǎn)離中心的一個(gè)槽側(cè)壁邊緣沿所述定位環(huán)徑向向外延伸形成第一延伸板，所述環(huán)形凹槽靠近中心的一個(gè)槽側(cè)壁邊緣沿所述定位環(huán)徑向向內(nèi)延伸形成第二延伸板，其中，

所述冷卻盤的部分頂壁與對應(yīng)的所述旋轉(zhuǎn)盤的底壁之間形成第三導(dǎo)流通道，所述第二延伸板與所述環(huán)狀主體板的頂壁形成第四導(dǎo)流通道，所述環(huán)形凹槽與所述環(huán)形凸起之間形成第五導(dǎo)流通道，所述第一延伸板與所述環(huán)狀主體板的頂壁形成第六導(dǎo)流通道；

所述第三導(dǎo)流通道、所述第四導(dǎo)流通道、所述第五導(dǎo)流通道以及所述第六導(dǎo)流通道依次連通形成所述輔助導(dǎo)流結(jié)構(gòu)；

所述第三導(dǎo)流通道與所述第二進(jìn)氣通道相連通。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述腔室本體的底壁邊緣處設(shè)有第一進(jìn)氣縫隙，所述邊緣導(dǎo)流結(jié)構(gòu)與所述第一進(jìn)氣縫隙相連通。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述腔室本體的底壁邊緣處設(shè)有第二進(jìn)氣縫隙，所述輔助導(dǎo)流結(jié)構(gòu)與所述第二進(jìn)氣縫隙相連通。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔室，其特征在于，所述冷卻盤上還設(shè)有容納槽，所述腔室本體通過位于所述容納槽內(nèi)的密封圈與所述冷卻盤密封連接。

10.一種半導(dǎo)體熱處理設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任意一項(xiàng)所述的反應(yīng)腔室。