[發(fā)明專利]針對校準物中不存在的離子調(diào)諧多極桿RF振幅有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810825217.4 | 申請日： | 2018-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN109308989B | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | S·T·夸姆比;J·T·梅茲;N·L·桑德斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 薩默費尼根有限公司 |
| 主分類號： | H01J49/00 | 分類號： | H01J49/00;H01J49/26;G01N27/62 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 陳潔;姬利永 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 針對 校準 不存在 離子 調(diào)諧 多極 rf 振幅 | ||
一種質(zhì)譜分析設(shè)備包含：離子源，配置成產(chǎn)生離子；離子導引件，配置成將離子從所述離子源朝向檢測器導引；離子檢測器，配置成檢測離子；以及質(zhì)譜分析控制器。所述質(zhì)譜分析控制器配置成：產(chǎn)生所述離子導引件的調(diào)諧曲線；根據(jù)所述調(diào)諧曲線確定所述離子導引件的觀測到的低質(zhì)量截止值；基于所述觀測到的低質(zhì)量截止值來計算所述離子導引件的有效r0；基于所述有效r0確定RF電壓；將所述RF電壓施加于所述離子導引件；以及執(zhí)行樣本中的離子質(zhì)量分析。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開大體上涉及質(zhì)譜法領(lǐng)域，包含針對校準物中不存在的離子調(diào)諧多極桿RF振幅。
背景技術(shù)
質(zhì)譜法可用于對樣本進行詳細分析。此外，質(zhì)譜法可針對樣本中的大量化合物提供定性(化合物X是否存在于樣本中)和定量(多少化合物X存在于樣本中)的數(shù)據(jù)。這些能力已用于廣泛多種分析，如對藥物使用進行測試、確定食品中的農(nóng)藥殘余物、監(jiān)測水質(zhì)等等。
儀器與儀器的不同限制了具有可跨越多個相同類型的儀器使用的統(tǒng)一參數(shù)集的能力。這一點可通過對每個儀器展開校準程序而進行補償，但需要調(diào)諧的成分的數(shù)目可能導致校準程序很耗時。通常通過使用產(chǎn)生已知m/z的多種離子物種的校準混合物來完成校準。然而，適合用于校準混合物中的離子的選擇可能有限。在有必要在校準物范圍外的m/z下調(diào)諧的情況下，這可能存在問題。從前述內(nèi)容應了解到，需要一種改進的方法來針對校準物中不存在的離子調(diào)諧多極桿RF振幅。
發(fā)明內(nèi)容
在第一方面，一種質(zhì)譜分析設(shè)備可包含：離子源，配置成產(chǎn)生離子；離子導引件，配置成將離子從所述離子源導向檢測器；離子檢測器，配置成檢測離子；以及質(zhì)譜分析控制器。所述質(zhì)譜分析控制器可配置成：產(chǎn)生所述離子導引件的調(diào)諧曲線；根據(jù)所述調(diào)諧曲線確定所述離子導引件的觀測到的低質(zhì)量截止值；基于所述觀測到的低質(zhì)量截止值來計算所述離子導引件的有效r0；基于所述有效r0確定RF電壓；將所述RF電壓施加于所述離子導引件；以及執(zhí)行樣本中的離子質(zhì)量分析。
在第一方面的各種實施例中，所述離子導引件可為四極桿、正方形四極桿、六極桿、八極桿、堆疊環(huán)離子導引件、離子漏斗、離子氈(ion carpet)，或其任何組合。
在第一方面的各種實施例中，所述質(zhì)譜分析控制器可配置成基于觀測到的低質(zhì)量截止值、標稱r0和預期低質(zhì)量截止值來計算有效r0。
在特定實施例中，所述質(zhì)譜分析控制器可配置成根據(jù)計算有效r0，其中K預期是參數(shù)的預期值，且K觀測是參數(shù)的觀測到的值，所述參數(shù)選自q、q*(m/z)、q*(m/z)*ω2、q*(m/z)*f2、V、V/ω2、V/f2或其組合。
在特定實施例中，所述質(zhì)譜分析控制器可配置成根據(jù)計算有效r0。
在第一方面的各種實施例中，觀測到的低質(zhì)量截止值可以是跨越至少兩種校準離子物種的平均值。
在第一方面的各種實施例中，可基于有效r0、RF電壓的頻率和調(diào)諧表來確定RF電壓。
在特定實施例中，調(diào)諧表可包含質(zhì)荷比的最優(yōu)q值。
在第二方面，一種分析離子碎片的方法可包含：產(chǎn)生離子導引件的調(diào)諧曲線；根據(jù)所述調(diào)諧曲線確定所述離子導引件的觀測到的低質(zhì)量截止值；基于所述觀測到的低質(zhì)量截止值來計算所述離子導引件的有效r0；基于所述有效r0確定RF電壓；將所述RF電壓施加于所述離子導引件；以及執(zhí)行樣本中的離子質(zhì)量分析。
在第二方面的各種實施例中，所述離子導引件可為四極桿、正方形四極桿、六極桿、八極桿、堆疊環(huán)離子導引件、離子漏斗、離子氈，或其任何組合。
在第二方面的各種實施例中，可基于觀測到的低質(zhì)量截止值、標稱r0和預期低質(zhì)量截止值計算有效r0。
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