[發明專利]針對校準物中不存在的離子調諧多極桿RF振幅有效
| 申請號： | 201810825217.4 | 申請日： | 2018-07-25 |
| 公開（公告）號： | CN109308989B | 公開（公告）日： | 2020-05-08 |
| 發明（設計）人： | S·T·夸姆比;J·T·梅茲;N·L·桑德斯 | 申請（專利權）人： | 薩默費尼根有限公司 |
| 主分類號： | H01J49/00 | 分類號： | H01J49/00;H01J49/26;G01N27/62 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 陳潔;姬利永 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 針對 校準 不存在 離子 調諧 多極 rf 振幅 | ||
1.一種質譜分析設備，包括：
離子源，配置成產生離子；
離子導引件，配置成將離子從所述離子源朝向檢測器導引；
離子檢測器，配置成檢測離子；以及
質譜分析控制器，配置成：
產生所述離子導引件的調諧曲線；
根據所述調諧曲線確定所述離子導引件的觀測到的低質量截止值；
基于所述觀測到的低質量截止值、標稱r0和預期低質量截止值計算所述離子導引件的有效r0，
其中根據計算所述有效r0，其中K預期是參數的預期值，r0標稱是用于產生所述調諧曲線的所述離子導引件的假設r0，且K觀測是所述參數的觀測到的值，所述參數選自q、q*(m/z)、q*(m/z)*ω2、q*(m/z)*f2、V、V/ω2、V/f2或其組合，
其中r0是從所述離子導引件的中心軸線到所述離子導引件的任意電極的表面的距離，并且
其中q、m/z、ω、V和f滿足
基于所述有效r0確定RF電壓；
將所述RF電壓施加于所述離子導引件；以及
執行樣本中的離子質量分析。
2.根據權利要求1所述的質譜分析設備，其中所述離子導引件是四極桿、六極桿、八極桿、堆疊環離子導引件、離子漏斗、離子氈，或其任何組合。
3.根據權利要求1所述的質譜分析設備，其中所述質譜分析控制器配置成根據計算所述有效r0。
4.根據權利要求1所述的質譜分析設備，其中所述觀測到的低質量截止值是跨越至少兩種校準離子物種的平均值。
5.根據權利要求1所述的質譜分析設備，其中基于所述有效r0、所述RF電壓的頻率和調諧表來確定所述RF電壓。
6.根據權利要求5所述的質譜分析設備，其中所述調諧表包含質荷比的最優q值或q*m/z值。
7.一種分析離子碎片的方法，包括：
產生離子導引件的調諧曲線；
根據所述調諧曲線確定所述離子導引件的觀測到的低質量截止值；
基于所述觀測到的低質量截止值、標稱r0和預期低質量截止值計算所述離子導引件的有效r0，
其中根據計算所述有效r0，其中K預期是參數的預期值，r0標稱是用于產生所述調諧曲線的所述離子導引件的假設r0，且K觀測是所述參數的觀測到的值，所述參數選自q、q*(m/z)、q*(m/z)*ω2、q*(m/z)*f2、V、V/ω2、V/f2或其組合，
其中r0是從所述離子導引件的中心軸線到所述離子導引件的任意電極的表面的距離，并且
其中q、m/z、ω、V和f滿足
基于所述有效r0確定RF電壓；
將所述RF電壓施加于所述離子導引件；以及
執行樣本中的離子質量分析。
8.根據權利要求7所述的方法，其中所述離子導引件是四極桿、六極桿、八極桿、堆疊環離子導引件、離子漏斗、離子氈，或其任何組合。
9.根據權利要求7所述的方法，其中根據計算所述有效r0。
10.根據權利要求7所述的方法，其中所述觀測到的低質量截止值是跨越至少兩種校準離子物種的平均值。
11.根據權利要求7所述的方法，其中基于所述有效r0和調諧表確定所述RF電壓。
12.根據權利要求11所述的方法，其中所述調諧表包含質荷比的最優q值。
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