[發明專利]半導體封裝及其形成方法

有效

• 申請號: 201810824906.3
• 申請日: 2018-07-25
• 公開（公告）號: CN109411369B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: S·克里南;王松偉;周志雄;劉豪杰;陳費費
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王琳;姚開麗

本發明涉及半導體封裝及其形成方法。形成半導體封裝的方法的實施方式可包括在晶圓的第一側中形成多個凹槽，晶圓的第一側包括多個電觸點。所述方法還可包括使用模塑料涂布晶圓的第一側和多個凹槽的內部，磨削晶圓的第二側以將所述晶圓減薄到所需厚度，在晶圓的第二側上形成背金屬，通過磨削模塑料的第一側來暴露多個電觸點，以及在多個凹槽處對所述晶圓進行切單以形成多個半導體封裝。

技術領域

本文件的各方面整體涉及半導體封裝。更具體的實施方式涉及薄功率半導體封裝及制備薄功率半導體封裝的方法。

背景技術

減小半導體封裝尺寸總體上帶來了經濟效益以及技術效益，諸如半導體器件的速度和功率的提升。薄半導體封裝對于芯片堆疊技術是有利的。半導體封裝可由減薄的管芯形成，該減薄的管芯由磨削的半導體晶圓制成。

發明內容

形成半導體封裝的方法的實施方式可包括在晶圓的第一側中形成多個凹槽，該晶圓的第一側包括多個電觸點。該方法還可包括使用模塑料涂布晶圓的第一側和所述多個凹槽的內部，磨削晶圓的第二側以將晶圓減薄到所需厚度，在晶圓的第二側上形成背金屬，通過磨削模塑料的第一側來暴露所述多個電觸點，以及在所述多個凹槽處對晶圓進行切單(singulate)以形成多個半導體封裝。

形成半導體封裝的方法的實施方式可包括以下各項中的一項、全部或任一項：

該方法可包括在晶圓的第二側上形成穿過背金屬的溝槽，使用第二模塑料涂布晶圓的第二側和背金屬層，以及將第二模塑料磨削到所需厚度。

可使用蝕刻技術形成所述多個凹槽。

所述多個凹槽中的每個凹槽可為階梯式凹槽。

晶圓的一部分可將背金屬和所述多個凹槽分開。

可使用液體分配方法、傳遞模塑方法和壓塑方法中的一者施加第一模塑料。

在磨削晶圓的第二側期間可移除晶圓的基本上90％的背面部分。

可在向晶圓的第二側施加基本上5psi的壓力的情況下使第一模塑料在100與200攝氏度之間固化。

形成半導體封裝的方法的實施方式可包括在與晶圓的第一側相對的晶圓的第二側中形成多個凹槽，該晶圓的第一側包括多個電觸點。該方法可包括使用第一模塑料涂布晶圓的第一側，使用第二模塑料涂布晶圓的第二側，將第二模塑料磨削到所需厚度，在第二模塑料及晶圓的第二側上方形成金屬層，通過磨削第一模塑料的第一側來暴露所述多個電觸點，以及沿著所述多個凹槽對晶圓進行切單，從而形成多個半導體封裝。

形成半導體封裝的方法的實施方式可包括以下各項中的一項、全部或任一項：

可使用蝕刻技術形成所述多個凹槽。

可使用液體分配方法、傳遞模塑方法和壓塑方法中的一者施加第一模塑料。

可使用機械拋光和化學蝕刻技術中的一者磨削第一模塑料和第二模塑料。

半導體封裝的實施方式可包括具有第一側、第二側、第三側、第四側、第五側和第六側的管芯，該管芯具有第一側與第二側之間的厚度，該厚度小于25微米厚。該封裝還可包括耦接到管芯的第一側的多個電觸點；覆蓋管芯的第一側的一部分、管芯的第二側的一部分、管芯的第三側的一部分、管芯的第四側的一部分以及管芯的第五側的一部分的第一模塑料，其中所述多個電觸點穿過第一模塑料暴露；以及耦接到管芯的第六側的金屬層。

半導體封裝的實施方式可包括以下各項中的一項、全部或任一項：

管芯的第一側可包括管芯周邊周圍的凹槽。

管芯的第六側可包括管芯周邊周圍的凹槽。

晶圓可小于10微米厚。