[發明專利]半導體封裝及其形成方法

有效

• 申請號: 201810824906.3
• 申請日: 2018-07-25
• 公開（公告）號: CN109411369B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: S·克里南;王松偉;周志雄;劉豪杰;陳費費
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 王琳;姚開麗

1.一種形成半導體封裝的方法，包括：

在晶圓的第一側形成多個凹槽，所述多個凹槽深入到所述晶圓的所述第一側中，所述晶圓的所述第一側包括多個電觸點；

使用模塑料涂布所述晶圓的所述第一側和所述多個凹槽的內部；

磨削所述晶圓的第二側以將所述晶圓減薄到所需厚度；

在所述晶圓的第二側上形成背金屬；

通過磨削所述模塑料的第一側來暴露所述多個電觸點；以及

在所述多個凹槽處對所述晶圓進行切單以形成多個半導體封裝。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述晶圓的所述第二側上形成穿過所述背金屬的溝槽，使用第二模塑料涂布所述晶圓的所述第二側和所述背金屬，以及將所述第二模塑料磨削到所需厚度。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述多個凹槽中的每個凹槽是階梯式凹槽。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述晶圓的所述第二側被磨削到所述多個凹槽的深度處。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述晶圓的一部分將所述背金屬和所述多個凹槽分開。

6.根據權利要求1所述的方法，其中在磨削所述晶圓的所述第二側期間移除所述晶圓的基本上90％的背面部分。

7.一種形成半導體封裝的方法，包括：

在與晶圓的第一側相對的晶圓的第二側中形成多個凹槽，所述晶圓的所述第一側包括多個電觸點；

使用第一模塑料涂布所述晶圓的所述第一側；

使用第二模塑料涂布所述晶圓的所述第二側；

將所述第二模塑料磨削到所需厚度；

在所述第二模塑料及所述晶圓的所述第二側上方形成金屬層；

通過磨削所述第一模塑料的第一側來暴露所述多個電觸點；以及

沿著所述多個凹槽對所述晶圓進行切單，從而形成多個半導體封裝。

8.一種半導體封裝，包括：

具有第一側、第二側、第三側、第四側、第五側和第六側的管芯，所述管芯具有所述第一側與所述第二側之間的厚度，所述厚度小于25微米厚；

耦接到所述管芯的所述第一側的多個電觸點；

覆蓋所述管芯的所述第一側的一部分、所述管芯的所述第二側的一部分、所述管芯的所述第三側的一部分、所述管芯的所述第四側的一部分以及所述管芯的所述第五側的一部分的第一模塑料，其中所述多個電觸點穿過所述第一模塑料暴露；以及

耦接到所述管芯的所述第六側的金屬層。

9.根據權利要求8所述的半導體封裝，其中所述晶圓小于10微米厚。

10.根據權利要求8所述的半導體封裝，其中所述第一模塑料完全覆蓋所述管芯的所述第二側、所述管芯的所述第三側、所述管芯的所述第四側和所述管芯的所述第五側。