[發明專利]包括保護結構的半導體裝置

在審

• 申請號: 201810824474.6
• 申請日: 2016-01-19
• 公開（公告）號: CN109037157A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: K·卡斯帕;A·科勒;E·瓦格納
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/31
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新

裝置包括半導體芯片，所述半導體芯片包括切割邊緣。所述裝置還包括布置在所述半導體芯片的半導體材料中的有源結構和布置在所述切割邊緣和所述有源結構之間的保護結構。

本申請是申請日為2016年1月19日、申請號為201610034564.6、發明名稱為“包括保護結構的半導體裝置”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及包括保護結構的半導體裝置。此外，本發明涉及用于制造這種半導體裝置的方法。

背景技術

在半導體裝置的生產和操作期間，可能產生諸如熱能或機械力的物理作用。例如，這種作用可以由切割工藝(dicing process)引起并且可以對待切割的半導體晶圓(wafer)的內部結構產生負作用。半導體裝置和制造半導體裝置的方法需要持續改進。具體地，期望避免半導體裝置及其內部結構的損壞。

附圖說明

包括附圖以提供對各方面的進一步理解，并且附圖包含在本說明書中并且構成本說明書的一部分。這些圖圖示各方面并且與說明書一起用于闡釋各方面的原理。將容易理解其他方面和各方面的很多預期優點，因為它們通過參考以下詳細說明書變得更好理解。這些圖的元件不必然相對于彼此成比例。類似的附圖標記可以指代相應類似的部分。

圖1示意性圖示根據本申請的裝置100的剖切側視圖。

圖2示意性圖示根據本申請的另一裝置200的剖切側視圖。

圖3示意性圖示根據本申請的另一裝置300的俯視圖。

圖4示意性圖示根據本申請的另一裝置400的剖切側視圖。

具體實施方式

在以下詳細說明中，參考附圖。這些圖以圖示的方式示出本發明可以實踐的具體方面。就此而言，關于所描述的圖的取向可以使用諸如“頂”、“底”、“前”、“后”等等的方向術語。因為所描述的裝置的部件可以定位在多個不同取向上，所以所述方向術語可以用于闡述目的并且絕不是限定性的。可以使用其他方面，并且可以做出結構改變或邏輯改變而不偏離本發明的構思。因此，以下詳細說明不用于限制，并且本發明的構思由所附權利要求限定。

如在說明書中采用的，術語“連接的”、“耦合的”、“電連接的”和/或“電耦合的”并非旨在必然意味著元件必須直接連接或耦合在一起。在“連接的”、“耦合的”、“電連接的”或“電耦合的”元件之間可以設置中間元件(intervening element)。

此外，就例如形成或定位在物體的表面“上方”的材料層而言所使用的文字“在……上方”可以在此用于意味著材料層可以“直接”定位(例如，形成、沉積，等等)在隱含的表面上，例如與隱含的表面直接接觸。就例如形成或定位在表面“上方”的材料層而言所使用的文字“在……上方”也可以在此用于意味著材料層可以“間接”定位(例如，形成、沉積，等等)在隱含的表面上，例如，一個或多個附加層布置在隱含的表面和材料層之間。

在此描述裝置和用于制造裝置的方法。結合所描述的裝置做出的評論也可以適用于相應的方法，反之亦然。例如，如果描述了裝置的特定部件，則用于制造所述裝置的相應方法可以包括以合適的方式提供所述部件的行為，即使這種行為沒有明確描述或在圖中圖示。此外，除非特定指出，在此所描述的各種方面和示例的特征可以彼此組合。