[發明專利]包括保護結構的半導體裝置

在審

• 申請號: 201810824474.6
• 申請日: 2016-01-19
• 公開（公告）號: CN109037157A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: K·卡斯帕;A·科勒;E·瓦格納
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L23/31
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 周家新

1.一種裝置，其包括：

包括切割邊緣的半導體芯片；

布置在所述半導體芯片的半導體材料中的有源結構；以及

布置在所述切割邊緣和所述有源結構之間的保護結構，

其中，所述保護結構布置在溝槽中，所述溝槽的側壁至少部分地由氧化物覆蓋。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述裝置具有外延層和埋層，所述溝槽能夠延伸經過所述外延層和埋層。

3.根據權利要求1或2所述的裝置，其中，所述裝置具有密封圈和/或止裂層，所述保護結構布置在所述密封圈和/或所述止裂層下方。

4.根據權利要求1或2所述的裝置，其中，所述保護結構沿所述半導體芯片的前側的輪廓延伸，其中，所述有源結構由所述保護結構包圍。

5.根據權利要求1或2所述的裝置，其中，所述保護結構平行于所述切割邊緣延伸。

6.根據權利要求1或2所述的裝置，其中，所述保護結構與所述切割邊緣間隔開至少3微米。

7.根據權利要求1或2所述的裝置，其中，所述氧化物層的尺寸沿平行于所述半導體芯片的前側的方向是至少1微米并且沿平行于所述切割邊緣的方向是至少5微米。

8.根據權利要求1或2所述的裝置，其中，所述保護結構配置成通過吸收熱能和機械力中的至少一個來保護所述有源結構。

9.根據權利要求1或2所述的裝置，其中，所述保護結構與所述有源結構間隔開。

10.根據權利要求1或2所述的裝置，其中，所述半導體芯片的有源結構包括摻雜區域、電部件以及集成電路中的至少一個。