[發明專利]一種生產高基頻石英晶體片的加工方法

在審

• 申請號: 201810822030.9
• 申請日: 2018-07-24
• 公開（公告）號: CN109067377A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 杜敏;李坡;姚曉文
• 申請（專利權）人: 深圳中電熊貓晶體科技有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H3/04
• 代理公司: 南京君陶專利商標代理有限公司 32215
• 代理人: 沈根水

本發明涉及一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，包括以下步驟：1）鍍膜：將基頻22MHz的晶片放入電極板中，進行兩次晶片表面鍍膜；2）清洗：將鍍膜后的晶片放入清洗治具中，進行清洗；3）腐蝕：將裝有晶片的清洗治具整體放入酸罐中，進行腐蝕；4）膜層剝離：剝離晶片表面膜層，得到高基頻晶片。優點：1）采用全新的晶片生產流程，解決了傳統晶片加工無法研磨到200?240MHz等高基頻晶片的問題。2）操作簡單，方法獨特、生產成本低。3）本發明技術方案所得高基頻晶片比利用水晶片倍頻技術或IC倍頻技術生產的晶片，有更好的相位噪聲、更小的抖動值及良好的短穩特性等。

技術領域

本發明是一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，屬于石英電子元件技術領域。

背景技術

隨著電子信息技術的高速發展，頻率元件的對基頻的需求越來越高。高端電子產品需求達到了基頻200MHz以上的水平，目前通過傳統的研磨方法生產的基頻頻率最高達到70MHz，如此高頻率的基頻片按照現有晶片生產方法，無法做到，如何生產出200MHz以上的基頻晶片，對石英晶片的基頻生產提出了最具挑戰性的要求。

發明內容

本發明提出的是一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其目的在于針對現有技術中傳統晶片加工方法中高基頻片太薄、無法研磨到200-240MHz等高基頻晶片、以及普通方法容易導致晶片表面不平、腐蝕隧道的缺陷，提出了一種通過對晶片局部進行頻率處理，生產具有良好相位噪聲、短穩特性、低抖動值的200MHz-240MHz高頻基頻晶片的加工方法。

本發明的技術解決方案：一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，包括以下步驟：

1）鍍膜：將基頻22MHz的晶片1放入電極板2中，進行兩次晶片表面鍍膜；

2）清洗：將鍍膜后的晶片放入清洗治具4中，進行清洗；

3）腐蝕：將裝有晶片的清洗治具4整體放入酸罐5中，進行腐蝕；

4）膜層剝離：剝離晶片表面膜層，得到高基頻晶片6。

本發明的有益效果：

1）采用全新的晶片生產流程，解決了傳統晶片加工無法研磨到200-240MHz等高基頻晶片的問題。

2）操作簡單，方法獨特、生產成本低。

3）本發明技術方案所得高基頻晶片比利用水晶片倍頻技術或IC倍頻技術生產的晶片，有更好的相位噪聲、更小的抖動值及良好的短穩特性等。

附圖說明

附圖1是22MHz基頻晶片平面圖。

附圖2是A鍍膜電極板示意圖。

附圖3是B鍍膜電極板示意圖。

附圖4是清洗治具示意圖。

附圖5是酸罐示意圖。

附圖6是晶片在酸罐中腐蝕的示意圖。

附圖7是最終高基頻晶片平面圖。

圖中1是晶片、2是電極板、3是膜層、4是清洗治具、5是酸罐、7是高基頻晶片、4-a是石英晶體片載盤、4-b是導桿、4-c是擋捎、4-d是螺絲、5-a是磁力攪拌轉子、5-b是磁力攪拌器、5-c是酸罐、5-d酸罐蓋是、A是晶片長度、B是晶片寬度、C 晶片頻率為200MHz-240MHz區域。

圖2中a是晶片定位板，b是鍍膜裝置限位槽放大圖，c是鍍膜電極上下板，d是一次鍍膜后晶片表面金層分布圖形。

圖3中a是晶片定位板，b是鍍膜裝置限位槽放大圖，c是鍍膜電極上下板，d是二次鍍膜后晶片表面金層分布圖形。

具體實施方式