[發明專利]一種生產高基頻石英晶體片的加工方法

在審

• 申請號: 201810822030.9
• 申請日: 2018-07-24
• 公開（公告）號: CN109067377A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 杜敏;李坡;姚曉文
• 申請（專利權）人: 深圳中電熊貓晶體科技有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H3/04
• 代理公司: 南京君陶專利商標代理有限公司 32215
• 代理人: 沈根水

1.一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其特征是包括以下步驟：

1）鍍膜：將基頻22MHz的晶片放入鍍膜治具中，進行兩次晶片表面鍍膜；

2）清洗：將鍍膜后的晶片放入清洗治具中,進行清洗；

3）腐蝕：將裝有晶片的清洗治具整體放入酸罐中，進行腐蝕；

4）膜層剝離：剝離晶片表面膜層，得到高基頻晶片。

2.根據權利要求1所述的一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其特征是所述步驟1）鍍膜中，所述鍍膜治具包括A板鍍膜治具和B板鍍膜治具，分別將晶片放入A板鍍膜治具和B板鍍膜治具中進行兩次鍍膜，A板鍍膜治具一次鍍膜后晶片表面形成橫線，再放入B板鍍膜治具中，使晶片中心橫線與B板鍍膜治具下電極板中的橫線位置重合，完成兩次晶片表面鍍膜，鍍膜速度為1800pps，兩次鍍膜過程晶片兩面中心局部區域中心保持同心等高。

3.根據權利要求2所述的一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其特征是所述A板鍍膜治具包括A晶片定位板、A鍍膜電極下底板和A鍍膜電極上蓋板，上下板相同，其中A晶片定位板具有若干晶片限位槽，鍍膜前將晶片碼入槽孔中；A鍍膜電極下底板具有與A晶片定位板上限位槽對應的鏤空部分和掩膜部分，置于晶片定位板下方為晶片下表面提供鍍膜電極；A鍍膜電極上蓋板具有與A晶片定位板限位槽和A鍍膜電極下底板上鏤空電極對應的鏤空及掩膜部分，以固定晶片并為晶片上表面提供鍍膜電極, 將晶片放在A鍍膜電極下底板上，蓋上晶片定位板，進行一次鍍膜。

4.根據權利要求1所述的一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其特征是所述步驟1）鍍膜中，所鍍膜層為金層。

5.根據權利要求1所述的一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其特征是所述步驟2）清洗：將鍍膜后的晶片延著清洗治具的孔長軸方向豎直放入清洗治具中，將清洗治具依次放入ALCONOX清洗劑溶液和去離子水中超聲清洗，隨后將清洗治具放入甩干機中甩干，完成清洗。

6.根據權利要求1所述的一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其特征是所述步驟2）清洗中，所述清洗治具包括兩個相同的石英晶體片載盤（4-a），每個載盤上設有多個槽孔，導桿（4-b）穿過石英晶體片載盤，將晶片放入槽孔中，將擋捎（4-c）插入導桿中，用螺絲（4-d）旋緊進行固定，使擋捎、導桿與石英晶體片載盤固定不晃動。

7.根據權利要求1所述的一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其特征是所述步驟3）腐蝕：將清洗治具4整體放入裝有晶格腐蝕酸的酸罐5中進行腐蝕，所述酸罐5包括磁力攪拌轉子（5-a），磁力攪拌器（5-b），酸罐（5-c），酸罐蓋（5-d），腐蝕溫度為22±2℃，腐蝕速率為50-70 微英寸/小時；腐蝕過程中進行頻率抽測，當達到所需頻率要求時，取出清洗治具，用去離子水清洗。

8.根據權利要求1所述的一種生產高基頻石英晶體片的加工方法，其特征是所述步驟4）膜層剝離，包括如下工藝步驟：

a）將清洗治具放入裝有王水的燒杯中，燒杯放入裝有熱水的不銹鋼盆中，浸泡30-50min，水溫50℃±10℃；

b）將清洗治具放入熱水盆中上下晃動，水溫50℃-60℃，沖洗四次；

c）將清洗治具放入裝有去離子熱水的燒杯中，水溫50℃-60℃，上下晃動導桿進行沖洗；

d）將治具放在靜電風扇處進行靜電吹風吹干，完成膜層剝離，得到中心為200MHz-240MHz的高基頻晶片。