[發明專利]一種像素結構及其制作方法、陣列基板及TN型顯示面板

在審

• 申請號: 201810820501.2
• 申請日: 2018-07-24
• 公開（公告）號: CN108922895A
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發明（設計）人: 卓然然;李林;林建偉;莊崇營
• 申請（專利權）人: 信利半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 鄧義華;廖苑濱

本發明提供了一種像素結構及其制作方法、陣列基板及TN型顯示面板，該像素結構包括：基板；柵極層和透明電極層，形成于所述基板上；公共電極層，形成與所述透明電極層上；第一絕緣層，形成于所述柵極層、基板、透明電極層和公共電極層上；有源層，形成于所述第一絕緣層上且對應柵極層設置；源極層和漏極層，形成于所述有源層上；第二絕緣層，形成于所述源極層、漏極層、第一絕緣層上；透明像素電極層，形成于所述第二絕緣層上并與所述漏極層電性連接，且與所述透明電極層位置重疊形成存儲電容。本發明可以在保證像素結構開孔率的前提下有效增大存儲電容。

技術領域

本發明涉及了顯示技術領域，特別是涉及了一種像素結構及其制作方法、陣列基板及TN型顯示面板。

背景技術

TN型顯示面板是TFT-LCD行業中常用的一種顯示面板，其具有結構簡單、工藝成熟及生產成本低等優點，在TN型顯示面板的像素結構中，一般都是通過在同基板上形成重疊布置的像素電極層和公共電極層，從而形成存儲電容，但是現有像素結構中像素電極層和公共電極層交疊位置不透光，使得為了保證開口率，公共電極層與像素電極層的重疊面積受到很大限制，因此存儲電容的大小也受限制，如圖1所示，現有的像素結構中公共電極層200’一般僅環繞像素電極層100’三面設置，像素的存儲電容大小受到限制。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是能夠有效保證TN型顯示面板中像素結構的開口率同時有效增大存儲電容。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種像素結構，應用于TN型顯示面板中，其特征在于，包括：

基板；

柵極層和透明電極層，形成于所述基板上；

公共電極層，形成與所述透明電極層上；

第一絕緣層，形成于所述柵極層、基板、透明電極層和公共電極層上；

有源層，形成于所述第一絕緣層上且對應柵極層設置；

源極層和漏極層，形成于所述有源層上；

第二絕緣層，形成于所述源極層、漏極層、第一絕緣層上；

透明像素電極層，形成于所述第二絕緣層上并與所述漏極層電性連接，且與所述透明電極層位置重疊形成存儲電容。

作為本發明的一種優選方案，所述透明電極層和透明像素電極層的材料相同。

作為本發明的一種優選方案，所述透明電極層和透明像素電極層的材料為ITO、AZO或IGZO。

作為本發明的一種優選方案，根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述透明像素電極層通過穿透第二絕緣層的過孔與所述漏極層電性連接。

作為本發明的一種優選方案，還包括與所述柵極層電性連接的柵極線和與所述源極層電性連接的數據線。

進一步地，提供一種陣列基板，包括以上任一項所述的像素結構。

進一步地，提供一種TN型顯示面板，包括以上所述的陣列基板。

進一步地，提供一種像素結構的制作方法，包括以下步驟：

步驟1：提供一基板；

步驟2：在所述基板上沉積第一透明薄膜，形成透明電極層；

步驟3：在形成透明電極層的基板上沉積第一金屬薄膜，通過構圖工藝形成柵極層和公共電極層；

步驟4：在形成柵極層、透明電極層和公共電極層的基板上沉積第一絕緣層；

步驟5：在第一絕緣層上形成有源層；

步驟6：在完成上述步驟的基板上沉積第二金屬薄膜，通過構圖工藝形成源極層和漏極層；