[發明專利]一種像素結構及其制作方法、陣列基板及TN型顯示面板在審
| 申請號： | 201810820501.2 | 申請日： | 2018-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN108922895A | 公開（公告）日： | 2018-11-30 |
| 發明（設計）人： | 卓然然;李林;林建偉;莊崇營 | 申請（專利權）人： | 信利半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人： | 鄧義華;廖苑濱 |
| 地址： | 516600 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣層 透明電極層 像素結構 漏極層 柵極層 基板 公共電極層 存儲電容 顯示面板 陣列基板 源極層 源層 透明像素電極層 電性連接 位置重疊 開孔率 制作 保證 | ||
1.一種像素結構，應用于TN型顯示面板中，其特征在于，包括：
基板；
柵極層和透明電極層，形成于所述基板上；
公共電極層，形成與所述透明電極層上；
第一絕緣層，形成于所述柵極層、基板、透明電極層和公共電極層上；
有源層，形成于所述第一絕緣層上且對應柵極層設置；
源極層和漏極層，形成于所述有源層上；
第二絕緣層，形成于所述源極層、漏極層、第一絕緣層上；
透明像素電極層，形成于所述第二絕緣層上并與所述漏極層電性連接，且與所述透明電極層位置重疊形成存儲電容。
2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述透明電極層和透明像素電極層的材料相同。
3.根據權利要求2所述的像素結構，其特征在于，所述透明電極層和透明像素電極層的材料為ITO、AZO或IGZO。
4.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述透明像素電極層通過穿透第二絕緣層的過孔與所述漏極層電性連接。
5.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，還包括與所述柵極層電性連接的柵極線和與所述源極層電性連接的數據線。
6.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1-5任一項所述的像素結構。
7.一種TN型顯示面板，其特征在于，包括權利要求6所述的陣列基板。
8.一種像素結構的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1：提供一基板；
步驟2：在所述基板上沉積第一透明薄膜，形成透明電極層；
步驟3：在形成透明電極層的基板上沉積第一金屬薄膜，通過構圖工藝形成柵極層和公共電極層；
步驟4：在形成柵極層、透明電極層和公共電極層的基板上沉積第一絕緣層；
步驟5：在第一絕緣層上形成有源層；
步驟6：在完成上述步驟的基板上沉積第二金屬薄膜，通過構圖工藝形成源極層和漏極層；
步驟7：在完成上述步驟的基板上沉積第二絕緣層；
步驟8：在第二絕緣層上沉積第二透明電極薄膜，形成透明像素電極層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
