[發明專利]像素陣列基板及其驅動方法有效
| 申請號: | 201810819972.1 | 申請日: | 2018-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN108922899B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 俞方正;陳振彰;曹梓毅;劉品妙;蔡正曄 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;G09G3/32 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 陣列 及其 驅動 方法 | ||
一種像素陣列基板及其驅動方法,其中像素陣列基板包括基板、位于基板上的至少一像素結構以及液晶層。至少一像素結構包括微型發光二極管、支撐墻、位于支撐墻與微型發光二極管之間的第一底電極以及設置于支撐墻上且與第一底電極分離的第一頂電極。微型發光二極管包括第一電極、電性連接第一電極的第一半導體層、第二半導體層、位于第一半導體層與第二半導體層之間的發光層以及電性連接第二半導體層的第二電極。液晶層設置于第一底電極上且位于支撐墻與微型發光二極管之間。
技術領域
本發明涉及一種基板及其驅動方法,且特別涉及一種像素陣列基板及其驅動方法。
背景技術
發光二極管(Light Emitting Diode;LED)為一種發光元件,因其具低功耗、高亮度、高分辨率及高色彩飽和度等特性,因而適用于構建發光二極管顯示面板的像素結構。微型發光二極管(Micro-Light Emitting Diode;LED)不僅承繼發光二極管的特性,同時可將使用微型發光二極管的像素結構的體積縮小至使用發光二極管的像素結構的體積的1%。
然而,微型發光二極管的電極墊會遮擋住微型發光二極管所激發出來的光線,導致微型發光二極管光取出效率降低的問題,嚴重地影響顯示面板的品質。因此,目前亟需一種能增加微型發光二極管光取出效率的方法。
發明內容
本發明提供一種像素陣列基板,能解決微型發光二極管光取出效率降低的問題或調整出光角度。
本發明提供一種像素陣列基板的驅動方法,能解決微型發光二極管光取出效率降低的問題或調整出光角度。
本發明的一種像素陣列基板,包括基板、位于基板上的至少一像素結構以及液晶層。至少一像素結構包括微型發光二極管、設置于基板上的支撐墻、設置于基板上且位于支撐墻與微型發光二極管之間的第一底電極以及設置于支撐墻上且與第一底電極分離的第一頂電極。微型發光二極管包括第一電極、電性連接第一電極的第一半導體層、至少部分與第一半導體層重疊的第二半導體層、位于第一半導體層與第二半導體層之間的發光層以及電性連接第二半導體層的第二電極。液晶層設置于第一底電極上且位于支撐墻與微型發光二極管之間。
本發明的一種像素陣列基板的驅動方法,包括先提供像素陣列基板,其中像素陣列基板包括基板、位于基板上的至少一像素結構以及液晶層。至少一像素結構包括微型發光二極管、設置于基板上的第一底電極、位于微型發光二極管的至少兩側的支撐墻以及設置于支撐墻上且與第一底電極分離的第一頂電極。微型發光二極管包括第一電極、電性連接第一電極的第一半導體層、至少部分與第一半導體層重疊的第二半導體層、位于第一半導體層與第二半導體層之間的發光層以及電性連接第二半導體層的第二電極。液晶層設置于第一底電極上且位于支撐墻與微型發光二極管之間。再來,對第一電極施加第一電壓、對第一底電極施加第二電壓、對第二電極施加第三電壓以及對第一頂電極施加第四電壓,其中第一電壓不同于第三電壓且第二電壓不同于第四電壓。
基于上述,本發明的像素陣列基板及其驅動方法可以改善像素結構光取出效率降低的問題,或調整出光角度,并可進一步提升顯示面板的顯示品質。
為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合說明書附圖作詳細說明如下。
附圖說明
圖1是依照本發明一實施例的一種像素陣列基板的俯視示意圖。
圖2是根據圖1的剖線A-A’示出的像素陣列基板的剖面示意圖。
圖3是依照本發明另一實施例的一種像素陣列基板的俯視示意圖。
圖4是根據圖3的剖線B-B’示出的像素陣列基板的剖面示意圖。
圖5是依照本發明另一實施例的一種像素陣列基板的俯視示意圖。
圖6是依照本發明另一實施例的一種像素陣列基板的俯視示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





