[發明專利]像素陣列基板及其驅動方法有效
| 申請號: | 201810819972.1 | 申請日: | 2018-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN108922899B | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 俞方正;陳振彰;曹梓毅;劉品妙;蔡正曄 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;G09G3/32 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 陣列 及其 驅動 方法 | ||
1.一種像素陣列基板,包括:
一基板;
至少一像素結構,位于該基板上,該至少一像素結構包括:
一微型發光二極管,包括:
一第一電極;
一第一半導體層,電性連接該第一電極;
一第二半導體層,至少部分與該第一半導體層重疊;
一發光層,位于該第一半導體層以及該第二半導體層之間;以及
一第二電極,電性連接該第二半導體層;
一支撐墻,設置于該基板上;
一第一底電極,設置于該基板上,且位于該支撐墻與該微型發光二極管之間;以及
一第一頂電極,設置于該支撐墻上,且與該第一底電極分離;以及
一液晶層,設置于該第一底電極上,且位于該支撐墻與該微型發光二極管之間。
2.如權利要求1所述的像素陣列基板,其中該第一底電極與該第一電極電性連接。
3.如權利要求1所述的像素陣列基板,其中該支撐墻內部具有面向該微型發光二極管的一第一側,與位于該第一側對面的一第二側,該第一側與該基板之間的夾角為α1,該第二側與該基板之間的夾角為α2,α1大于α2。
4.如權利要求1所述的像素陣列基板,還包括:
一第一信號線,與該第一頂電極電性連接。
5.如權利要求1所述的像素陣列基板,其中該液晶層的材料為藍相液晶。
6.如權利要求2所述的像素陣列基板,還包括:
一第二底電極,設置于該基板上,且與該第二電極電性連接。
7.如權利要求1所述的像素陣列基板,其中該支撐墻與該第一頂電極環繞于該微型發光二極管的四側。
8.如權利要求1所述的像素陣列基板,其中該支撐墻的高度為該微型發光二極管的高度的兩倍以上。
9.如權利要求1所述的像素陣列基板,其中該支撐墻的高度為H,該第一頂電極與該基板之間的距離大于2/3H。
10.如權利要求1所述的像素陣列基板,其中該發光層的寬度為W,該發光層于該基板的垂直投影形成一圖形,該圖形的一側邊與該第一頂電極于該基板的垂直投影之間具有一最短距離,該最短距離大于W且小于5倍的W。
11.如權利要求1所述的像素陣列基板,還包括:
一第二頂電極,設置于該支撐墻上,且與該第一頂電極互相分離;以及
一第二信號線,與該第二頂電極電性連接。
12.如權利要求11所述的像素陣列基板,包括兩個相鄰的像素結構,該兩個相鄰的像素結構的支撐墻彼此分離,且其中一個像素結構的第一頂電極相鄰于另一個像素結構的第二頂電極。
13.如權利要求12所述的像素陣列基板,還包括:
一遮光圖案,位于該兩個相鄰的像素結構之間。
14.如權利要求13所述的像素陣列基板,其中該遮光圖案于該基板的垂直投影位于該其中一個像素結構的該第一頂電極于該基板的垂直投影以及該另一個像素結構的該第二頂電極于該基板的垂直投影之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





