[發(fā)明專利]復合襯底及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810818803.6 | 申請日： | 2018-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN110752251A | 公開（公告）日： | 2020-02-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王興民;李瑞評 | 申請（專利權(quán)）人： | 兆遠科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/04 | 分類號： | H01L29/04;H01L29/06;H01L21/02;H01L23/373;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11021 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 任巖 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科學工業(yè)園*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 孔洞 襯底 基材 基材表面 填補材料 填補層 復合 耐高溫能力 散熱效果 填平 制造 填補 | ||
1.一種復合襯底，包括有：
一基材，具有一基材表面，于該基材表面具有多個孔洞；以及
一填補層，設(shè)置于該基材表面，該填補層具有一主體以及自該主體一側(cè)延伸形成的多個填補材料，該主體的厚度不超過10nm，該些填補材料分別填補于該些孔洞當中。
2.如權(quán)利要求1所述的復合襯底，其中該基材包括有氮化鋁、氧化鋁或碳化硅。
3.如權(quán)利要求1所述的復合襯底，其中該填補層包括有氧化物或氮化物。
4.如權(quán)利要求1所述的復合襯底，包括有一外延層，設(shè)置于該主體的另一側(cè)。
5.一種復合襯底，包括有：
一基材，具有一基材表面，于該基材表面具有多個孔洞；
多個填補材料，分別填補于該些孔洞當中。
6.如權(quán)利要求5所述的復合襯底，其中該些填補材料自該些孔洞中外露的表面與該基材表面齊平。
7.如權(quán)利要求5所述的復合襯底，其中該基材包括有氮化鋁、氧化鋁或碳化硅。
8.如權(quán)利要求5所述的復合襯底，其中該填補材料包括有氧化物或氮化物。
9.如權(quán)利要求5所述的復合襯底，包括有一外延層，設(shè)置于該基材表面。
10.一種復合襯底的制造方法，包括有：
提供一基材，該基材具有一基材表面，且于該基材表面具有多個孔洞；
提供一填補層，該填補層包括有多個填補材料，該些填補材料分別填補于該些孔洞當中。
11.如權(quán)利要求10所述的制造方法，包括有以下步驟：薄化該填補層，使該填補層的厚度不超過10nm。
12.如權(quán)利要求10所述的制造方法，包括有以下步驟：薄化該填補層，并使該基材的該基材表面露出，且使該些填補材料自該些孔洞中外露的表面與該基材表面齊平。
13.如權(quán)利要求10所述的制造方法，其中該填補層包括有一主體，該些填補材料自該主體一側(cè)延伸形成，該制造方法包括有以下步驟：去除該主體以及薄化該基材，且該基材自該基材表面被薄化的厚度不超過6μm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
