[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810817643.3
• 申請日: 2018-07-24
• 公開（公告）號: CN109326442B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發(fā)明（設計）人: 豬又康之;河野泰久;天野美娜
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30;H01G13/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;張燕

本申請?zhí)峁┮环N多層陶瓷電容器，包括：多層結構，其中多個陶瓷電介質層中的每一個和多個內部電極層中的每一個交替堆疊，多個內部電極層交替暴露于多層結構的第一邊緣面和第二邊緣面，其中，在覆蓋多個內部電極層朝向第一邊緣面和第二邊緣面之外的兩個側面延伸的邊緣部分的側部邊緣區(qū)域中，當Da是側部邊緣區(qū)域中距多個內部電極層邊緣20μm內的主要組分陶瓷的平均粒徑，并且Db是距側部邊緣區(qū)域的表面層20μm內的主要組分陶瓷的平均粒徑時，滿足1.5≤Db/Da≤10.0。

技術領域

本發(fā)明的某一方面涉及多層陶瓷電容器及其制造方法。

背景技術

要求減小多層陶瓷電容器的尺寸并增大多層陶瓷電容器的電容。存在如下增大電容而不增加尺寸的方法。(1)增大電介質材料的相對介電常數(shù)。(2)減小電介質層的厚度。(3)增大電介質層的數(shù)量。(4)擴大電介質區(qū)域的有效交叉面積(連接到外部電極的內部電極面向連接到另一外部電極的另一內部電極的面積)。利用這些方法，能夠增大額定電壓較小的多層陶瓷電容器的電容。

作為示例，多層陶瓷電容器用作平滑電路。在平滑電路中，DC偏壓特性很重要。這是因為由于使用鐵電材料的電容器中的DC分量，有效電容可能減小(例如，參見日本專利申請公開第2004-323315號)。當有效電容減小時，電容器對平滑無效。

當根據(jù)方法(1)增大電介質材料的介電常數(shù)時，偏壓特性劣化。因此，方法(1)在用于平滑的電容器中不是優(yōu)選的。當根據(jù)方法(2)減小電介質層的厚度時，施加在內部電極層之間的電場強度增加并且偏壓特性劣化。因此，方法(2)不是優(yōu)選的。在方法(3)中，當堆疊數(shù)量增加時，多層陶瓷電容器變得更高并且電容器的尺寸增大。因此，方法(4)對于在不增大尺寸的情況下要求增大電容(特別是有效電容)的多層陶瓷電容器是最有效的。

作為用于擴大有效交叉面積的具體方法，在堆疊生片之后，涂覆用于形成側部邊緣區(qū)域的漿料(例如，參見日本專利申請公開第H03-108306號)。

發(fā)明內容

當向使用鐵電材料的多層陶瓷電容器施加電壓時，由于反向電壓效應，電容區(qū)域沿堆疊方向擴張。另一方面，電壓不施加到側部邊緣區(qū)域。因此，在側部邊緣區(qū)域中不會發(fā)生自移位。在這種情況下，側部邊緣區(qū)域經(jīng)受拉伸應力，這是因為在電容區(qū)域中發(fā)生移位。因此，當側部邊緣區(qū)域的厚度減小以增大電容區(qū)域時，由于拉伸應力，可能在側部邊緣區(qū)域中發(fā)生開裂。因此，在低電壓施加期間可能發(fā)生擊穿。可靠性可能降低。

本發(fā)明的目的在于提供一種多層陶瓷電容器和多層陶瓷電容器的制造方法，其能夠抑制側部邊緣區(qū)域中的開裂。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種多層陶瓷電容器，包括：多層結構，其中多個陶瓷電介質層中的每一個和多個內部電極層中的每一個交替堆疊，多個電介質層的主要組分為陶瓷，多層結構具有長方體形狀，多個內部電極層交替暴露于多層結構的第一邊緣面和第二邊緣面，第一邊緣面與第二邊緣面相對，其中，在覆蓋多個內部電極層朝向第一邊緣面和第二邊緣面之外的兩個側面延伸的邊緣部分的側部邊緣區(qū)域中，當Da是側部邊緣區(qū)域中距多個內部電極層邊緣20μm內的主要組分陶瓷的平均粒徑，并且Db是距側部邊緣區(qū)域的表面層20μm內的主要組分陶瓷的平均粒徑時，滿足1.5≤Db/Da≤10.0。