[發明專利]多層陶瓷電容器及其制造方法

有效

• 申請號: 201810817643.3
• 申請日: 2018-07-24
• 公開（公告）號: CN109326442B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 豬又康之;河野泰久;天野美娜
• 申請（專利權）人: 太陽誘電株式會社
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30;H01G13/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;張燕

1.一種多層陶瓷電容器，包括：

多層結構，其中，多個陶瓷電介質層中的每一個和多個內部電極層中的每一個交替堆疊，所述多個電介質層的主要組分是陶瓷，所述多層結構具有長方體形狀，所述多個內部電極層交替暴露于所述多層結構的第一邊緣面和第二邊緣面，所述第一邊緣面與所述第二邊緣面相對，

其中：

在覆蓋所述多個內部電極層朝向所述第一邊緣面和所述第二邊緣面之外的兩個側面延伸的邊緣部分的側部邊緣區域中，當Da是所述側部邊緣區域中距所述多個內部電極層的邊緣20μm內的主要組分陶瓷的平均粒徑，并且Db是距所述側部邊緣區域的表面層20μm內的主要組分陶瓷的平均粒徑時，滿足1.5≤Db/Da≤10.0。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述側部邊緣區域的主要組分陶瓷是鈦酸鋇。

3.根據權利要求2所述的多層陶瓷電容器，其中，所述側部邊緣區域中的Mn和Mg的總濃度為0.3atm％或更低。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的多層陶瓷電容器，其中：

平均粒徑Da比平均粒徑Db更接近電容區域的主要組分陶瓷的平均粒徑；并且

所述電容區域是暴露于所述多層結構的第一邊緣面的一組內部電極層面向暴露于所述多層結構的第二邊緣面的另一組內部電極層的區域。

5.一種多層陶瓷電容器的制造方法，包括：

第一步，在包括主要組分陶瓷晶粒的生片上提供金屬導電糊料的圖案；

第二步，通過堆疊由第一步獲得的多個層壓單元使得所述圖案的位置交替移位來獲得陶瓷多層結構；以及

第三步，烘烤所述陶瓷多層結構并獲得其中多個陶瓷電介質層中的每一個和多個內部電極層中的每一個交替堆疊的多層結構，所述多層結構具有長方體形狀，所述多個內部電極層交替暴露于所述多層結構的第一邊緣面和第二邊緣面，所述第一邊緣面與所述第二邊緣面相對，其中：

其中：

在第三步中，當Da是側部邊緣區域中距所述多個內部電極層的邊緣20μm內的主要組分陶瓷的平均粒徑，并且Db是距所述側部邊緣區域的表面層20μm內的主要組分陶瓷的平均粒徑時，所述側部邊緣區域的表面區域的晶粒生長促進得多于所述側部邊緣區域的內部區域的晶粒生長，并且由此在所述側部邊緣區域中滿足1.5≤Db/Da≤10.0；并且

所述側部邊緣區域是覆蓋所述多個內部電極層朝向所述第一邊緣面和所述第二邊緣面之外的兩個側面延伸的邊緣部分的區域。